三星电子今天宣布，它已经成功出货了基于极紫外（EUV）技术的业界首个10nm级（D1x）DDR4（双倍速率4）DRAM模块，并且已经开始批量生产DDR5存储器。在2021年

三星通过EUV增强DDR4生产工艺，以提高产量，第一百万单位出货

基于新EUV的DRAM模块已经完成了全球客户评估，将为高端PC，移动，企业服务器和数据中心应用中使用的更先进的EUV工艺节点打开大门。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Lee Jung-bae Lee表示：“随着基于EUV的新型DRAM的生产，我们正在展示我们对提供革命性的DRAM解决方案以支持我们的全球IT客户的全部承诺。“这一重大进步强调了我们将如何通过及时开发高端工艺技术和面向高端内存市场的下一代内存产品，继续为全球IT创新做出贡献。”

三星是首家在EUV DRAM生产中采用EUV的公司，以克服DRAM扩展方面的挑战。EUV技术减少了多重图案制作中的重复步骤，并提高了图案制作的准确性，从而提高了性能，提高了产量，并缩短了开发时间。

预计明年将推出DDR5和LPDDR5

EUV将从其第四代10nm级（D1a）或高度先进的14nm级DRAM开始全面部署在三星的下一代DRAM中。三星预计明年将开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，这将使12英寸D1x晶圆的生产效率提高一倍。

随着明年DDR5 / LPDDR5市场的扩展，该公司将进一步加强与领先的IT客户和半导体供应商在优化标准规格方面的合作，因为它将加速整个内存市场向DDR5 / LPDDR5的过渡。

为了更好地满足对下一代优质DRAM不断增长的需求，三星将在今年下半年开始在韩国平泽市建立第二条半导体生产线。