在西方国家对我国进行技术封锁的大背景下，我国半导体产业近年来的发展可谓是举步维艰，但在当下科技高速发展的时代，我国如果想要在国际上掌握更多的话语权，却又不得不迎难而上，加快自主研发的脚步。

为了摆脱西方国家对我国的技术封锁以及芯片禁令，近年来我国不断加大对半导体行业的投资力度，并且制定了五年内达到70%芯片自给率的战略计划。

【中国半导体迎来崛起？】

在“芯片去美化”成为我们首要目标之后，国家的半导体可谓是注入了新的活力，各大半导体企业接连崛起，纷纷实现技术突破，国家更是专门立项成立了大集成电路学院，培养芯片制造的相关人才。

可以说我国现如今在整个半导体产业中已经完成了全面战略布局，而为了我国半导体企业的加速崛起和实现“中国芯”的伟大目标，各大企业不断发力，最近更是传来几个利好消息，事关相关技术、材料等，让我们一起来看看吧！

【利好消息接连传来】

自西方国家对我国实施技术封锁之后，我国相关部门对于半导体企业就加大投资力度，全面鼓励半导体企业专心搞科研，更是推出了许多税收减免和资金扶持的政策。

据悉，国家大基金在半导体投资方面的总投资已经超过三百亿，更是分了两期进行投资，第一期重心是在芯片制造方面的扶持，主要投资IC设计，第二期是针对半导体设备和材料方面的扶持，这两期计划无疑助力了半导体行业的突破，而我国半导体企业也是不负众望迎来了许多突破，传来了好消息。

  • 产能突破

据芯研所最新消息，国家统计局所公布的消息显示，今年我国的半导体芯片总产量高达1400亿颗，相较于去年增长幅度达到了48.3%。

此外，在今年五月更是打破了集成电路产业以往的记录，创造出了单月最高产量，并且国内的不少芯片企业仍然在扩充产能，相信不就得将来我国的芯片产能还能再上一个台阶。

但是需要注意的是，产能并非衡量国产芯片是否崛起的唯一标准，芯片的国产化率以及技术水平也是需要考量的，除了产能突破以外，我国在芯片材料上也有了重要突破。

  • 芯片新材料取得突破

现如今市面上大部分芯片都是硅材料所制，但是硅芯片的相关技术一直被老美掌控，我国半导体起步较晚，想要绕过美国技术生产硅材料是很难的。

我国要想避免被“卡脖子”就必须要寻找芯片材料的替代产品，日前，云南大学经过研究后发现硫化铂和石墨烯材料融合过后，材料的物理特性会发生变化，可以当做第二代的半导体芯片材料，并且该材料相较于传统的硅材料芯片来说，新材料有更高的性能和更低的功耗。

在我们欢呼芯片新材料取得突破的同时，南大光电在光刻胶领域里也迎来了重大突破！

  • 光刻胶取得突破

根据最新消息，南大光电表示自己公司生产的ArF光刻胶已经取得了少量订单，并且对外宣称自己的光刻胶产品已经完全符合55nm平台后端金属布线层所需的工艺要求。

要知道，ArF光刻胶可是芯片制造中必不可少的关键材料，在此之前，光刻胶的技术一直被海外企业拿捏，如今南电广大实现光刻胶的突破，也让我国半导体产业迈进一大步！

纵观我国半导体产业的整个发展现状，让007不禁想起比尔盖茨在相关禁令颁布生效的当天说过的一句话：“不卖给中国芯片，对美国来说不仅会是去一批高薪工作岗位，而且会让中国加速芯片国产化！”

我国的半导体行业发展现在也正如比尔盖茨所说的，芯片国产化显然已经在不远的将来向我们招手。

对于比尔盖茨对我国的肯定，中科院院长也是在禁令生效后的第二天公开表示：“我们正将美国卡脖子清单变成科研任务清单进行布局！”

随着我国半导体行业飞速发展，相信再过些光景，美国便无法再卡我们脖子，好了007今天就说到这里了，不知道对于我国半导体的发展现状，你们又有何看法？不妨在评论区留言讨论，想了解更多，点赞关注我！