近日，台积电在 2022 年技术研讨会上介绍了关于未来N3 制程工艺的相关信息，其中包括N3E、N3P、N3X 等，并且台积电还公布了N2（2nm）工艺将于 2025 年量产。

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在本次大会上台积电介绍了N3制程节点使用的FINFLEX技术，据悉该技术扩展了工艺的性能、功率和密度范围，同时还允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。其中包括3-2 FIN - 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求、2-2 FIN - 高能效表现，在性能、功率和密度之间取得良好的平衡、2-1 FIN - 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度的特性。

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同时台积电还公布了关于未来先进制程的信息，全新的N2工艺，这将会是第一个使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管的制程节点。称之为：“Nanosheet”。

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据悉N2工艺将比N3工艺来说在芯片密度增加了约1.1倍，而在相同功率和复杂度下提升10%到15%的性能，以及相同频率下，降低功耗可达到25%到30%。预计N2工艺将用于各种芯片，包括了CPU、GPU和移动平台的SoC，同时会将更多地使用多芯片封装来实现优化性能和成本，预计2025年末进入大批量生产阶段。

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