在芯片领域，我国一直面临的问题就是无法生产高端芯片，要知道，我国是可以设计出来5纳米的芯片，比如备受大家喜爱的华为麒麟系列芯片，但是一直无法生产出来高端芯片，其根本原因就是没有高端的EUV光刻机。
自19年老美开始对我国半导体行业开始制裁之后，我国一直处在“缺芯少魂”境地，老美更是一直在游说荷兰ASML光刻机寡头，劝其不要向我国出售光刻机，虽然近期ASML拒绝了老美的提议，坚持要向我国出售光刻机，但是出售的都是一些比较低级的DUV光刻机，而更高端的EUV光刻机还是在老美的掌控之中，没有希望。但是最近的半导体行业发生的一些大事，都在预示着光刻机似乎并不是唯一的出路。
首先就是不久前美国半导体大厂美光宣布绕开EUV光刻机制造出DRAM内存芯片，能效提高约15%，储存密度提升35%，而且已经送往测试，测试如果没有什么问题就可以开始量产。此消息一出，震惊了整个半导体行业，各路媒体都在纷纷报道猜测，是否我国也可以另辟蹊径，找到摆脱EUV光刻机束缚的方法？
其次就是我国中科院宣布在光量子芯片进展上获得重大突破，并且在明年，我国的第一条光子芯片生产线将在首都北京建设完成并投入使用。而光量子芯片的生产则不需要高端的EUV光刻机，从而缺少高端EUV光刻机的难题也会不攻自破。光子芯片一旦研发生产成功，半导体领域将会完成从“电”到“光”的转换，整个半导体行业也会面临着洗牌，我国也再不会被老美“卡脖子”，从而实现半导体领域的弯道超车。
还有就是据可靠消息称，日本知名企业佳能联合日企铠侠开发出一种新的工艺——纳米压印微影技术，并宣布通过纳米压印微影技术成功实现电路精细度达到14纳米的线宽，相当于5纳米制程芯片，即使不使用EUV光刻机也能实现量产。其技术核心就是通过精细的凹凸图案树脂，将电路板上涂覆的树脂压接在形成电路图案的模板上，形成纳米级电路图案。简单的来说就是相当于在印章刻好电路图案，然后再进行印刷生产出来纳米级芯片。目前佳能正在扩大工厂建设，生产纳米压印光刻机（NIL），完成了对EUV光刻机的替代，也摆脱了对EUV光刻机的依赖。
我们都知道，荷兰的ASML一直都是光刻机领域的寡头，但是很多人可能并不知道，ASML的核心EUV光刻机技术来自老美成立“EUV联盟”，其背后的大股东更是美国资本集团，所以才不敢违背老美的意愿将更高级的EUV光刻机出售到我国。
但是从上面这些近期发生在半导体行业的大事来看，想要生产出更高端的芯片，EUV光刻机并不是唯一出路。目前各个国家，各个企业都有自己的打算，都想绕过EUV光刻机向其他方向进军，同时也是再走一条全新的道路，目的就是为了摆脱对EUV光刻机的依赖以及老美的控制。
一旦传统电子芯片的路走到尽头，无法突破物理摩尔定律的极限，那么我国掌握的量子芯片技术、石墨烯芯片技术将会成为半导体行业的先驱者，届时我们就能够生产出纯国产的芯片，任何阻碍都将会成为我国半导体行业发展的垫脚石，一个崭新的时代正向我们走来！
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