英诺赛科近日发布消息，截至2023年8月，公司氮化镓芯片出货量成功突破3亿颗。这些芯片产品在消费类（快充、手机、LED）、汽车激光雷达、数据中心、新能源与储能等领域的多个应用中大批量交付，帮助客户实现小体积、高能效、低损耗的产品设计。
集邦咨询TrendForce《2023GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美元成长到2026年的13.3亿美元，复合增长率高达65%。得益于市场应用范围的扩大和八英寸硅基氮化镓技术的成熟，英诺赛科2023年上半年销售额比去年同期增长500%，累计出货量成功突破3亿颗。
从第一款产品诞生到多形态产品衍生，英诺赛科创下许多“第一”。
2017年11月，英诺赛科开启全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，采用IDM全产业链模式，成功研制8英寸硅基氮化镓晶圆。2018年5月，英诺赛科第一款低压氮化镓功率器件上市。2019年6月，英诺赛科650V高压氮化镓器件通过JEDEC。自此，英诺赛科成为全球唯一同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。
2021年3月，英诺赛科双向导通芯片V-GaN正式量产，是全球唯一可应用于高压侧负载开关、智能手机USB/无线充电端口内置OVP保护、多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片。2022年11月，英诺赛科INN100W032A荣获IIC全球电子成就奖，该产品栅极电荷仅为Si MOS的20%，Ciss仅为Si MOS的40%，可广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等产品领域。
截至今年8月，英诺赛科成功量产高压氮化镓芯片（650V-700V）54款，中低压氮化镓芯片（30V-150V）20款，产品涵盖晶圆、分立器件、合封芯片三大品类。
氮化镓功率器件的应用主要由消费电子所驱动，因其具备小体积、高频高效的优势，能够满足消费电子市场对电源产品小型化、快速化及低发热的强烈需求。在快充市场的带动下，手机标配快充、内部充电保护也逐一采用氮化镓，并在市场上得到良好反馈。由此，消费领域对氮化镓的需求全面爆发，但这仅仅是氮化镓走向市场的开端。
氮化镓应用已经步入快车道。随着市场需求的急剧增长，器件的可靠性与大批量稳定供货成为关键。基于先进且完善的8英寸硅基氮化镓研发和制造平台，英诺赛科当前产能已达到每月15000片，在规模化、可靠性与成本上具备极大优势，IDM模式也能快速实现产品更新迭代，或将成为推动行业发展的中坚力量。
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