芯片制造商SK海力士计划在韩国增加投资，扩大和改进他们先进的芯片封装技术。

据该公司介绍，这笔投资将用于降低功耗和提高性能，满足人工智能应用不断增长的需求。

存储芯片制造商SK海力士封装开发主管 Lee Kang-Wook表示，对该公司高带宽内存 (HBM) 过高的需求，促使他们改进工艺，同时还能巩固这一优势，在该市场取得领先地位。半导体行业的前 50 年一直是前端（芯片的设计和制造），但接下来的 50 年将是后端[封装]。

根据分析师的估计，SK 海力士在先进芯片封装方面的投资可能约为 10 亿美元。SK 海力士尚未透露今年的资本支出预算，这一消息未得到证实。

Lee 参与开发SK 海力士的第三代 HBM，开创了一种封装该技术的新方法，即后来的 HBM2E。英伟达选择SK海力士提供HBM来制造AI加速器，有了英伟达这一大客户，SK海力士有和三星电子、美光竞争的优势。

2024 年 2 月，有报道称该公司已选择印第安纳州作为新封装工厂的厂址。早在2022年SK集团董事长崔泰源会见美国总统拜登，并承诺该公司将向美国半导体、绿色能源和生物科学项目投资220亿美元。

韩国政府计划在 23 年内建设“全球最大的半导体巨型集群”，SK 海力士也参与投资，约910 亿美元，在首尔以南的龙仁市建设存储器生产设施。