继续给大家介绍一下EUV光刻机的进展。

根据荷兰科技媒体“bits&chips”报道，ASML的技术总监Martin van der Brink近日已经公开，ASML正在考虑下一代超数值孔径EUV（“hyper-NA EUV”），也就是我们通俗一点的说法--“0.2纳米”EUV光刻机。

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从图1的资料我们可以看到：

1，2023年之前，是第一代7纳米EUV光刻机大批量量产时期，主要是将半导体制程拓展到3纳米节点。,

2，2024年-2033年这十年，是第二代2纳米EUV光刻机大批量量产时期，主要是将半导体制程拓展到0.5纳米。众所周知，2023年12月，ASML已经将第一台第二代2纳米EUV光刻机的试验版本发送给英特尔。

3，2035年以后，半导体制程预期进入0.3纳米以下节点，这时候有可能会导入0.2纳米EUV光刻机。

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由于EUV光刻机是目前先进半导体制程的瓶颈，尽管可以通过其他辅助技术继续拓展浸没式DUV光刻机的制程能力，不过很显然它不能在半导体制程的迭代中走得更远。这就和21世纪的战场上使用二战的坦克也可以勉强用一下，是一个道理。

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ASML的第一代7纳米EUV光刻机的开发经历了20年，早期美国组织了近10年的研究论证，之后ASML又使用了近10年的时间实现了大规模量产。

ASML的第二代2纳米EUV光刻机，是ASML在第一代7纳米EUV光刻机的研发和量产平台基础上，又花费了10年时间建造成的。

而现在，2040年代的0.2纳米EUV光刻机已经被纳入ASML的计划。

所以，那些随口判断3年、5年就可以造出EUV光刻机的评论，是极其不负责任的！

您看呢？

我们下期见！