中美芯片巨头重磅和解，向来积极打压中企的美光和中国DRAM内存企业晋华，在历经六年的商业间谍指控和力证清白的博弈后，终于达成了全球和解协议。
2024年2月底，美国加利福利亚联邦法院裁决中国晋华无罪，驳回了美光以及美国司法部针对晋华商业机密盗窃的指控。
晋华终于在中美贸易战的大背景下“奇迹”般的获得胜利，但晋华自身也被打压的元气大伤，一度差点落得靠清算厂房设备续命。
在美国的高压制裁下，哪怕是国内也没有企业敢跟晋华合作，厂房内的机器几乎没法开工，晋华几乎退出了DRAM内存行业。
当我们深入了解这场不见硝烟的拉锯战，大家会细思极恐的发现，美光打压晋华的目的已经达到，晋华不再对美光构成威胁。
美国相关部门其实是在配合美光向中国存储芯片市场伸出了暗手。
美光死死咬住晋华长达六年之久，美国法院判定晋华无罪这招儿是给外人看的，根本上是美光撤回了对晋华的指控。
因为在2023年12月24日，彭博社曝光的美光内部邮件透露，两家企业将在全世界撤回针对对方的指控，并终止所有的诉讼。
美光愿意“放过”晋华，无外乎有两点原因，一是晋华已经被拉入黑名单，它已经被制裁得没啥竞争力了，根本对美光造成不了市场威胁。
二是美光在华的销售额占总营收的份额，已经从2018年的58%骤降到了2022 年的11%，再加上2023年中国在关键基础设施领域禁售美光芯片，美光已经被中国视作重点打击的对象。
但美光的反应也超乎我们想象，它不仅没有反抗，而且还宣布在西安投43亿元建厂，种种现象说明了美光是极度依赖中国市场的。
但想了解美光晋华案的深层原因，以及美光撤回对晋华指控、给中国纳投名状的真实意图，我们还得从2016年、中国存储芯片爆发的元年说起。
去年中国一共从海外进口了4796亿块芯片，总价值高达3502亿美元，其中占大头的是计算芯片（如手机移动端的计算处理器），一共1763亿美元。
我们注意到，存储芯片（NAND闪存和DRAM内存占大头）一共卖了789亿美元，明显存储芯片是第二大细分市场。
芯片进口花的钱比石油都多，这句话绝不是耸人听闻。
而晋华则是中国存储芯片的破局者。2016年2月，福建电子信息集团、晋江能源一起出钱，将台湾省专业搞存储的联电拉了进来，联合成立了DRAM内存制造公司。
联电看中了大陆的市场，老板曹兴诚当时还是有名的爱国商人，当时他想在内地推行所谓的“大陆芯片计划”，大陆出钱，联电负责DRAM技术研发。
同年6月同样是搞DRAM内存的合肥长鑫在安徽成立，7月紫光集团、国产集成电路产业投资基金和湖北科投一共砸了240亿美元，在武汉成立了专攻NAND闪存技术的长江存储。
至此中国存储芯片创业初期三巨头格局，正式形成，中国存储产业风暴已至。
中国存储芯片三巨头来势汹汹，重点突围的方向就是韩国美国垄断的内存市场，当时我们定下的目标，就是在5到10年内，突破存储芯片被美韩巨头垄断的局面。
但西方对中国新兴存储企业的绞杀同时起步，让核心研发交给台湾联电的晋华成为重点打击对象，说实话就是晋华没有掌握核心科技，交给了外人。
晋华遭遇空前劫难的直接原因，就是技术团队的来源和美国美光产生了交叉，被抓住了命脉，美光当时在中国台湾有一家子公司，晋华的总经理曾经就在这里任职，后面就跳槽到联电当副总经理。
晋华成立时，大陆这边先是拿了3亿美元从国外采购设备，后面又给了联电4亿美元的研发费，让联电拿钱搞32nmDRAM芯片的研制，最终转到晋华这边来量产。
正是这种合作模式给日后晋华埋下了极其大的隐患。
2017年11月晋华12寸晶圆厂封顶，计划在2018年试产，计划第一期每月的产能达到6万片，第二期实现12万片的产能，就等着联电那边把技术送过来。
正当所有人期待晋华率先实现中国存储芯片破局时，联电要开始坑晋华了，早在2017年2月，台湾所谓的司法部门突袭检查联电的办公地，强行带走了有关美光的电子设备和信息。
其实之前三名前华亚科技（美光的合资公司）的员工从美光离职时，顺手牵羊了一些专利材料到了联电，其中就包括32nmDRAM研发的技术资料，但是屁股没擦干净留下了痕迹。
但联电的管理层跟晋华解释说这些转移给你的技术都是“清洁技术”，也就是干净的。
所以就在2017年9月，美光在台中法院控诉联电窃取它的DRAM技术和商业机密，并把这些重要文件泄露给了晋华，于是晋华躺着中枪了。
同年12月，美光在美国加州联邦法院将晋华和联电一起告了，指控联电偷窃美光技术并转交给了晋华。但是，美光能证实联电窃取了技术，但没有提供联电将技术转移给晋华的证据。
在后来的接连指控中，美光要求晋华赔偿200亿美元的天价损失，并且对晋华的总经理、高管和核心技术人员发出全球通缉令。
晋华刚建的厂房还没开工，就面临美企全面封杀的可能性。
被联电坑惨的晋华，发布了一篇200字的回应，主要是称晋华没有窃取其他公司技术的行为。
晋华真的是花钱买罪受，还被猪队友坑，随即在2018年1月，晋华拉着晋华一起在福建法院发起对美光的反击，控诉美光的英睿达、铂胜等型号DRAM内存和固态硬盘，在中国侵犯晋华和联电的专利，并索赔1.96亿元。
当时美光在西安工厂一年的测试产能，就占到全球的九成，美光2018年一半的营收都来自西安工厂。
作为回击，2018年7月，美光被福州法院勒令立刻停止售卖上述DRAM产品，西安工厂立即停止生产相关产品。
但就当晋华奋起反击美光、力争自身清白时，曾经的队友台湾联电竟反水了，联电后来向美国司法部认罪，连窃取美光专利机密的过程都给供了出来，这下晋华跳到黄河都洗不清，直接被联电卖到了绝境。
2018年7月6日，美国开始对中国商品新增25%的关税，中美贸易战正式打响，同时美光频繁游说美国商务部，意图推进对华芯片制裁和打压中国存储产业，晋华、长江存储、合肥长鑫都是美光打压的对象。
10月29日，美国商务部以“晋华生产DRAM内存的技术可能来自美国“为由，正式将晋华拉入出口管制清单。
随后晋华厂房内的美系设备全部停摆、终止调试，已经购买还未到货的芯片设备全部暂停，欧美专家全部撤出，就连联电背刺晋华，停止了DRAM的合作开发，召回了核心技术骨干。
所以你看美国的狼子野心就显露无疑了，明明是联电盗窃了美光的技术，联电跟晋华合作也是在后，你不制裁联电反倒制裁晋华，这是怎么回事？因为你晋华就是不跪！
晋华至此被美光死死咬住，DRAM的研发和投产一直被拼命阻止，联电也开始配合美国商务部，转而直接反水。
2020年10月联电终于承认了侵犯美光专利和盗取商业机密的事实，并赔偿了6000万美元，以此换来与美国商务部的和解，同时美国司法部撤销了对联电的指控。
2021年11月，联电跟美光达成和解协议，赔偿了一大笔和解金，但这个数额是对外保密的，双方间的诉讼各自撤回。
而且更让晋华想不到的是，联电还协助晋华的员工跳槽到华邦电子，联电的做法真的令人不齿。
至此以美光为首的美国势力，开始全面绞杀中国存储企业。2022年12月，长江存储被美国拉入实体清单，原因就是美光向美商务部投诉长存给华为供货。
国内DRAM内存企业仅剩下合肥长鑫一家在坚持，全球DRAM市场形势非常严峻，三星、SK海力士和美光瓜分了全球近95%的市场份额，它们肆意给DRAM涨价获取超额利润，垄断全行业DRAM的价格。
但即便在高压之下，有媒体在2021年年初报道，晋华已经攻克25nm内存芯片，并具备小规模量产的能力。同时长江存储已经突破128堆栈NAND闪存技术，技术水平超过三星，踏入全球领先行列。
从2023年开始，中国开始重点打击美光，限制美光产品在国内销售，美光CEO梅赫罗特拉先后在2023年11月、2024年3月前往中国示好，同时美光宣布在西安投入超43亿元建厂和扩产。
美光在打压中企的同时，自身在中国市场也是屡屡碰壁，和晋华和解，就是美光走的重要一步棋，待中国存储企业产品商业化的关键时期，晋华这个威胁已经除掉，美光开始寻求重返中国市场，同样也是为了抢夺市场份额。
晋华的案例也告知我们，核心技术要藏好，要把握在自己手中，长江存储搞自研X-tacking技术、合肥长鑫行事低调来保护技术团队和技术来源，都是中国存储顺利崛起的重要一环。
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