英飞凌于近期宣布，其位于马来西亚的新晶圆厂正式进入第一阶段建设，该晶圆厂将成为全球最大、最具竞争力的8英寸碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。无独有偶，安森美、意法半导体、罗姆等国际巨头纷纷投入8英寸碳化硅晶圆市场。在江西万年芯看来，这一趋势预示着半导体行业即将迎来新一轮的技术革新和市场扩张。
“8英寸”扩大产能
据权威预测，到2029年SiC市场容量将达到100亿美元。在巨大增量市场的吸引下，第三代半导体产业热闹非凡。
Wolfspeed是量产8英寸碳化硅晶圆的“先行”厂商，其在美国的工厂已实现稳定生产。该公司还计划在未来几年内继续扩大产能，以满足日益增长的市场需求；
安森美近期宣布，将于今年晚些时候对8英寸碳化硅晶圆进行认证，并于2025年投产；
意法半导体已在欧洲和亚洲的多个国家设立制造基地。该公司计划在未来几年内将多个晶圆厂过渡到8英寸碳化硅晶圆生产。在重庆，意法半导体与三安光电合作建设的8英寸碳化硅器件合资制造工厂，将成为国内首条具备量产能力的8英寸SiC衬底和晶圆制造线。
国内也有不少企业加速布局8英寸碳化硅赛道，如天科合达、天岳先进、芯联集成、乾晶半导体、同光股份、科友半导体等。
为什么是“8英寸”？
碳化硅功率器件以其高电压、大电流、高温、高频率和低损耗等独特优势，在多个领域展现出广阔的应用前景。在新能源汽车领域，碳化硅器件能够显著提升车辆的续航能力和充电效率；在光伏发电和智能电网领域，碳化硅器件则能有效提高能源转换效率和系统稳定性。此外，碳化硅器件还广泛应用于工业电源、电机驱动与航空航天等领域。
当前，尽管市场上的SiC尺寸仍以6英寸为主，但国内厂商都在积极布局8英寸。
据测算，SiC晶圆从6英寸扩大到8英寸，SiC芯片产量可增加90%，在8英寸晶圆上制造的SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，这有利于进一步降低芯片成本。据业界人士预计，从2026年至2027年开始，现在的6英寸SiC产品都将被8英寸产品替代。
万年芯的技术突破
尽管碳化硅功率模块展现出广阔的市场前景，但目前仍面临一些挑战，如衬底和外延材料的成本较高，以及制造工艺的复杂性等。
作为国家专精特新“小巨人”企业，江西万年芯微电子有限公司同样在碳化硅功率器件领域取得了显著突破。万年芯研发包含SiC PIM模块、智能功率模块（IPM）、半桥SiC模块和超低内阻SiC MOSFET等，适用于驱动电机的变频器和各种逆变电源、充电桩电源、5G电源、电网、高铁、汽车等行业。通过不断的技术创新和产品优化，万年芯正逐步成为碳化硅功率器件市场的重要参与者。
随着第三代半导体企业加速布局8英寸碳化硅晶圆市场，碳化硅功率器件的应用范围和优势将进一步得到拓展和发挥。万年芯等国内企业的崛起，也为我国半导体产业的发展注入了新的活力。
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