2020年网友透露的光刻机消息已有部分被证实！美国的限制终将失败|euv|样机|美国

今年4月华为P70正式搭载麒麟9010上市销售，7月份，华为销售门店接到通知，可以谈论手机搭载的SOC型号，说明华为已经有把握在极限施压的情况下继续生产各式处理器。有博主拆解麒麟9010之后发现，它的光刻工艺环节对准标志与众不同，基本可以确定不是进口产品，最有可能是国产型号。然而，某些政客至今仍不死心，仍然以为我国无法自行生产DUVi设备。

彭博社当地时间8月29日报道：荷兰政府可能不会续签允许该国光刻机巨头阿斯麦公司(ASML)向中国提供设备维修服务的许可，该许可于2024年底到期。报道谈到荷兰方面的决定是在美国施压的情況下作出的。

那么此举会给中国带来什么影响呢？

基本等同于自掘坟墓！真以为我国搞不定高端光刻机？

2020年，有网友透露了我国光刻机研制进展情况。当年网友透露的消息我们无法证实，但现在回过头来看，其中不少信息已经得到官方证实！

本文在不泄密前提下，根据国内官方网站公开的信息合理分析。

文中提到的能用于量产11纳米制程工艺的光刻机是什么意思呢？

参考光刻机行业领先者ASML公布的参数可知其套刻精度达到3纳米以内，曝光分辨率40纳米以内（通常是38～41纳米之间）。

那么我国深紫外浸没式光刻机又是什么水平呢？

先来看看国内某官网公布的SSA800-10W光刻机的参数：套刻精度2.5纳米，曝光分辨率38～41纳米，满足28纳米工艺需求。

由此可见，国产SSA800-10W光刻机就已经能够满足11纳米以下制程工艺量产要求。

在此要强调一点，我国在2021年就已经造出SSA800-10W。

2022年3月18日，中科院微电子研究官方网站发布了《2021年年鉴》，文中提到：完成28nm浸没光刻机曝光光源10mJ@4KHz工程样机交付整机使用及15mJ@6KHz原理样机研制。

官方学术期刊《激光与光电子学进展》2022年第五期论文《超精密高速激光干涉位移测量技术与仪器》提到：目前该系列仪器已成功应用于我国350nm至28nm多个工艺节点的光刻机样机集成研制和性能测。

文中明确提到了28纳米工艺节点样机，正好与上文提到的“满足28纳米工艺”相吻合。这说明SSA800-10W就是所谓的“28纳米光刻机”。然而这种28纳米光刻机指的是单次曝光就能量产28纳米制程工艺的光刻机，通过套刻工艺，它也可以用于量产11纳米制程工艺，如果不介意良率和成本，做出7纳米制程工艺也是可以的。

11纳米工艺节点只是2021年我国的水平，现在水平只会更高。

从ASML的发展经验来看，最新款DUVi型号NXT：2100i与NXT:1980i主要区别就是双工件台套刻精度更高。

如果能够提升双工件台的套刻精度，那就能提升DUVi的曝光分辨率，即可以支持更高端的制程工艺量产。刚好，从2023年官方发布的消息来看，我国的双工件台套刻精度至少达到NXT：2000i的水准，而NXT：2000i就是一款能够用于量产7纳米甚至是5纳米制程工艺的设备！

2023年，清华大学机械工程系本科生官方微信平台机械之声日前发文介绍了该系于2023面8月13日举办的《制造前沿讲堂-集成电路》专场活动，本期活动邀请到清华机械工程系长聘教授朱煜，就光刻机技术做专题讲座。

根据朱煜教授介绍，我国多家研究所正在共同进行DUV光刻机整机攻关和EUV光刻机关键技术预研，清华大学团队目前正在承担浸没双工件台、平面光栅测量系统、EUV光刻机真空工作台等的研发工作。
在活动自由交流环节，有学生向朱煜提问其课题组研发的工件台和ASML公司差距。朱煜回应称:目前课题组研制的工件台在大的代际上与ASML公司最先进工件台（NXT：2000系列以上产品）处于同一水平。但在小的代际上与ASML的2000系列以上产品（最新型号NXT：2100i）还存在一代的差距，再迭代一次后就可以追上国际先进水平。