半导体设备第一季第五集死磕技术|极板|电容|硅片|等离子体

#三分钟讲知识#
先看CCP——Capacitance Couple Plasma，其原理是两块平

行的电容极板，通过电场加速放电，产生两个电极和等离子体，两块极板顶部通过高压释放高能离子，底部释放低能离子来刻蚀硅片表面材料
其特点为能够实现上下两块电容极板的独立控制。
但是，CCP电容等离子当两块电源频率接近时，双频放电会产生较强的非线性作用，导致等离子浓度不均匀。
所以，CCP 刻蚀技术会导致硅片表面粗糙或底层损伤。
因此，主要用于刻蚀硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质

和金属材料。
目前，其技术主流代表企业为东京电子（TEL），市场份额为54%，其次为拉姆研究（4#三分钟讲知识#
先看CCP——Capacitance Couple Plasma，其原理是两块平行的电容极板，通过电场加速放电，产生两个电极和等离子体，两块极板顶部通过高压释放高能离子，底部释放低能离子来刻蚀硅片表面材料
其特点为能够实现上下两块电容极板的独立控制。
但是，CCP电容等离子当两块电源频率接近时，双频放电会产生较强的非线性作用，导致等离子浓度不均匀。
所以，CCP 刻蚀技术会导致硅片表面粗糙或底层损伤。
因此，主要用于刻蚀硬度高、需要高能量离子反应刻蚀的介质和金属材料。
目前，其技术主流代表企业为东京电子（TEL），市场份额为54%，其次为拉姆研究（4『loono.cn}ζwww.bridgeentertainment.cn┎0%），中

微半导体排名第三，市占率为3%，市场前两大巨头市占率为94%
在CCP技术之后，ICP技术解决了CCP均匀性不高的问题。
ICP——Inductance Coup『romantic-massage.cn}｜608668.cn}le Plasma，电感等离子体刻蚀，是通过电流线圈缠绕充满气体的石英玻璃管进行放电产生等离子体；TCP， transform couple plasma，平面盘绕电感等离『jiumeiwang.cn}ζwww.272n7lf.cn┎子体，是在ICP基础上将感应线圈放置在一个平面内，因此TCP的离子体更均匀。

ICP较CCP技术要求更高，相比电容性放电，电感能够在低压下产生更高密度、更均匀的等离子体，对『masahiko-w.com}｜aomaike.cn}晶圆的伤害较小，不仅能够刻蚀介质，更能够刻蚀难度最高的硅材料
目前，国内仅有两家能够生产出ICP设备，一个是北方华创的NMC612D，另一个就是中微半导体的Primo na『ts-n-tax.cn}ζwww.bloopers.cn┎nova高端系列。
研发水平，在财报上最直观的体现就是研发投入有多大，2016年至2018年，研发支出分别为3.02亿元、3.3亿元、4.04亿元，占收入比重分别为49.6『003a.cn}｜5ttxs.cn}2%、34%、24.65%。
2017年-2018年，中微的研发资本化支出分别为1.62亿元、3.24亿元，资本化比例分别为高达31.53%、47.94%，是净利润的5.4『yqwdpx.cn}ζwww.nh65.cn┎倍、3.56倍。

高额的研发是行业特点吗？我们来对比同行业来看：
应用材料（AMAT）——2016年-2018年研发支出为15.40亿美元、17.74亿美元、20.19亿美『lyzhongyi.cn}｜ailise.cn}元，占营业收入的比重为：14.23%、12.20%、11.70%，无资本化；
拉姆研究（LAM）——2016年-2018年研发支出为9.14亿美元、10.34亿美元、11.『1980pv.cn}ζwww.sycfgw.cn┎90亿美元，占营业收入的比重为：15.52%、12.90%、10.74%，无资本化；
北方华创——2016年-2017年研发支出为7.58亿元、7.36亿元，占营收比重为4『tzxt.com.cn}｜xmch0506.cn}6.72%、33.13%，资本化比例为22.82%、51.55%，资本化支出是净利润的2.57倍、2.27倍。
预知后续，且听下回分解