SK海力士有望超越英特尔,首次跻身全球第三大芯片厂

SK海力士有望超越英特尔，首次跻身全球第三大芯片厂
SK海力士有望挤下英特尔，首登全球第三大芯片厂

根据半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）的综合分析，Omdia预测，SK海力士在2023年第三季度的销售额将达到128亿美元，创下历史新高。
这一变化的背后，正是AI需求激增的推动。市场研究公司Omdia最新发布的报告显示，三星电子与SK海力士的表现均令人瞩目，前者将在Q3期间创下显著的销售纪录，而后者预计将首次超越英特尔，跻身全球芯片制造商第三位。
具体而言，Omdia预计今年第三季度全球半导体行业的总收入可达1758.66亿美元（约合1.25万亿元人民币），环比第二季度1621.8亿美元增长约8.5%。这一增长率，不仅反映了市场的活跃，也彰显了新技术的影响力。
分析师指出，英伟达正是这股“AI浪潮”中最大的受益者，预计其第三季度的营收将达到281.03亿美元（约1995.27亿元人民币），依旧占据市场领导地位，其半导体销售份额高达16.0%。而Omdia还预估三星电子在Q3的半导体销售额将达到217.12亿美元（约1541.52亿元人民币），这一数字不仅标志着自2018年以来的最高纪录，也巩固了其在市场上12.3%的份额，继续位列第二

。
与此同时，SK海力士在今年第二季度已创造116.9亿美元的营收，预计在Q3将再次刷新纪录，Omdia对此持乐观态度，预测其销售额将达到128.34亿美元（约911.19亿元人民币），市场份额则跃升至7.3%，成功超越英特尔，首次跻身第三位。自2002年Omdia开始统计半导体行业数据以来，SK海力士的这一成就是其历史性的里程碑。
然而，英特尔却可能面临滑落的风险。Omdia预测，英特尔在今年第三季度的市场份额将降至6.9%，销售额约为121.34亿美元（约861.49亿元人民币），与上一季度的121.6亿美元相比，略显下降。
韩联社指出，英特尔作为曾经的半导体巨头，自去年第三季度被英伟达超越后，接连在第四季度将第二的位置拱手让给三星，接下来或许还将失去对SK海力士的竞争优势，暗示着这家公司正处于成立以来最大的危机之中。
在其他竞争者中，Omdia预计博通将超越高通，跃升至第五位。博通的第三季度销售额预计将达到84.52亿美元（市场份额4.8%），而高通则

为82.61亿美元（市场份额4.7%）。接下来是美光（75.61亿美元，4.3%）、AMD（66.2亿美元，3.8%）、苹果（55.09亿美元，3.1%）和英飞凌（42.87亿美元，2.4%）。
根据TrendForce的追踪，NAND市场中，三星和SK海力士Solidigm的市场份额有所增长，而铠侠西部数据的市场份额则出现下降。在最新的季度报告中，三星被定位为行业领军者，占据36.9%的市场份额，而SK集团（SK海力士和Solidigm）继续稳居第二，市场份额为22.1%。而接下来的竞争者包括铠侠（13.8%）、美光（11.8%）和西部数据（10.5%），总收入为168亿美元，相比第一季度的147亿美元增长了14.2%。分析TrendForce的历史数据，可以发现，自2023年初以来，SK海力士的市场份额呈现稳步上升趋势，而三星的份额也自2023年第二季度开始攀升。与之形成鲜明对比的是，铠侠、美光和西部数据的市场份额则出现下滑，特别是铠侠，其下降幅度尤为显著。
TrendForce的报告还显示，铠侠的市场份额从2024年第一季度的12.4%增长至13.8%，而WD的份额则从11.6%降至10.5%。SK集团的份额略有下降，从22.2%降至22.1%，而美光的份额则提升了一个百分点，从11.7%增

长至11.8%。
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在铠侠2024财年第一季度中，营收达到4285亿日元（31亿美元），创下历史新高，较去年同期的3221亿日元（23亿美元）增长了33%。该公司净收入从103亿日元（7300万美元）增至698亿日元（5亿美元），并表示：“由于客户库存的正常化以及AI需求的持续增长，数据中心和企业SSD的需求正在上升。”
TrendForce指出，美光的第二季度营收增长主要得益于大容量企业级SSD的强劲表现，同时公司计划将产品重点转移，预计第三季度企业级SSD出货量将继续增长。此外，西部数据也计划推出两款新产品，以抓住AI市场的机遇。
对于未来的市场动向，三星和SK海力士集团均加大了对企业级SSD的关注。TrendForce预计，2024年第三季度的NAND行业收入将“与上一季度基本持平”。
不久前，SK海力士宣布开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片功耗更低，能效更高，名为1c16GbDDR5，其中的1c代表SK海力士的第六代10纳米工艺。
这款1c16GbDDR5芯片将主要服务于高性能数据中心，运行速度达到8Gbps（每秒8千兆比特），相比前一代产品速度提升了11%；此外，该芯片的能效也比前一代提升了9%以上。在当前人工智能快速发展的背景下，这一新产品预计将帮助数据中心减少多达30%的电力成本。
此次的1c工艺以1β工艺为基础，1β工艺是上一代DRAM芯片采用的第五代10纳米技术，以其卓越的性能在业界广受赞誉。为了有效降低推进过程中可能出现的潜在错误，并最大化地传承1β的优势，SK海力士将1β的DRAM平台进行了扩展，成功开发出1c技术。
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