全球首款12层HBM3E开始量产
SK海力士近日宣布，全球首款12层堆叠的HBM3E芯片已经进
入量产阶段。这款芯片具备36GB的存储容量，刷新了现有HBM产品的容量纪录。作为业内重要的技术突破，该芯片不仅在容量上显著提升，还在速度和稳定性方面达到了全球领先水平。SK海力士计划在年内将该产品推向市场，以满足客户的需求。
今年3月，SK海力士推出了8层堆叠的HBM3E产品，仅6个月后便再度突破，实现了12层堆叠的量产，这标志着其在高带宽存储器领域持续保持技术领先。自2013年推出全球首款HBM以来，SK海力士已成为唯一开发并供应全系列HBM产品（从H全球首款12层HBM3E开始量产
SK海力士近日宣布，全球首款12层堆叠的HBM3E芯片已经进入量产阶段。这款芯片具备36GB的存储容量，刷新了现有HBM产品的容量纪录。作为业内重要的技术突破，该芯片不仅在容量上显著提升，还在速度和稳定性方面达到了全球领先水平。SK海力士计划在年内将该产品推向市场，以满足客户的需求。
今年3月，SK海力士推出了8层堆叠的HBM3E产品，仅6个月
后便再度突破，实现了12层堆叠的量产，这标志着其在高带宽存储器领域持续保持技术领先。自2013年推出全球首款HBM以来，SK海力士已成为唯一开发并供应全系列HBM产品（从H英文telebox.CnBM1到HBM3E）的企业。凭借12层产品的量产，SK英文xfdh3.Cn海力士正在满足人工智能应用对高效存储的需求，并巩固其在英文airtickets24.Cn人工智能存储市场的领导地位。
SK海力士总裁Justi英文hg726.CnnKim表示，此次突破展示了公司在人工智能存储领域的技英文netmo.Cn术优势，并强调公司将继续开发下一代产品，以应对日益复杂英文wudonglei.Cn的人工智能需求。随着12层HBM3E的推出，存储芯片的英文luxihong.Cn运行速度提升至9.6Gbps，这也是目前行业内可用的最英文xdlspa.Cn高速度。以大型语言模型Llama370b为例，如果搭载英文mxxg168.Cn4个HBM3E芯片的GPU用于驱动该模型，每秒可以读取英文eswnc.Cn700亿个参数多达35次，显著提升了数据处理能力。
值英文0513newjob.Cn得注意的是，SK海力士在12层HBM3E产品中采用了T英文bct100.CnSV技术（硅通孔）垂直堆叠，使得芯片更为紧凑，并通过核英文123949.Cn心技术AdvancedMR-MUF工艺解决了结构强度问英文dongyada.Cn题。这一技术进步不仅提高了散热性能，还增强了芯片的稳定英文actualreh51.Cn性和可靠性。
与此同时，作为主要竞争对手的三星电子也在英文jcwoto.Cn今年推出了HBM3E12H产品，其容量同样达到了36G英文779159268.CnB，并支持每秒1280GB的超高带宽。三星的HBM3E英文cnnbrc.Cn12H通过热压非导电薄膜技术（TCNCF），实现了在不英文hackmimi.Cn增加厚度的情况下提升产品性能和密度。这种先进技术使得芯英文esten123.Cn片在高堆叠下保持稳定，并通过更小的凸块设计提高了散热效英文mtpi.Cn果，从而增强了芯片的耐用性和良品率。
人工智能应用对高英文1122lbbz.Cn带宽存储器的需求不断增
加，HBM3E12H的推出正好契英文vgdesign.Cn合了这种趋势。通过优化存储性能和容量，该芯片不仅能加快英文dyfda.Cn人工智能训练速度，还能大幅提升推理效率，降低数据中心的英文139mini.Cn总拥有成本（TCO）。三星预计HBM3E12H将成为未英文r623.Cn来高性能计算系统的重要组成部分，并助力客户在快速增长的英文m6tj6l.Cn人工智能市场中获得更大的竞争优势。
总体来看，全球存储英文shuimeishi.Cn芯片市场正处于飞速发展阶段，HBM技术的进步将大大推动英文tyqcyp.Cn人工智能、数据中心以及其他高性能计算应用的快速发展。在英文plus4.Cn这个过程中，SK海力士与三星电子的技术竞赛无疑为市场带来了更多创新和竞争力。
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