近日，半导体大厂德州仪器 (TI)宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。

随着会津工厂投产，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂，德州仪器的GaN功率半导体产能将提升至原来的四倍。

德州仪器技术和制造高级副总裁Mohammad Yunus表示：“德州仪器已成功认证了8英寸（200mm）氮化镓技术，并开始在日本会津工厂进行大规模生产。”Mohammad Yunus进一步指出，到2030年，德州仪器内部氮化镓制造率将增长到95%以上，同时还可以从多个德州仪器工厂采购，确保公司整个氮化镓半导体产品组合的供应。”

作为硅的替代材料，氮化镓在能效、开关速度、电源解决方案的尺寸和重量、整体系统成本以及高温高压条件下的性能等方面都具有优势。GaN芯片可提供更高的功率密度，或在更小的空间内提供功率，从而实现笔记本电脑和手机的电源适配器等应用，或用于供暖和空调系统和家用电器的更小、更节能的电机。

近年来，随着消费电子持续发展，加上服务器、AI、工业、太阳能等产业快速发展，氮化镓已在消费电子（如电源适配器）和工业如数据中心电源和太阳能逆变器已得到广泛采用。

有观点认为，氮化镓功率芯片将成为第二次电力电子学革命的催化剂。业界估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40%的能源浪费，相当于节省了100兆瓦时太阳能和1.25亿吨二氧化碳排放量。