TrendForce 报告称，DRAM 行业对 HBM 产品的关注度正日益转向混合键合等先进封装技术。主要的 HBM 制造商正在考虑是否为 HBM4 16hi 堆栈产品采用混合键合，但已确认计划在 HBM5 20hi 堆栈一代中采用该技术。

与更广泛使用的微凸块相比，混合键合具有多项优势。由于它不需要凸块，因此可以堆叠更多层，并可容纳更厚的芯片，从而有助于解决翘曲问题。混合键合芯片还具有更快的数据传输和更好的散热效果。

TrendForce指出，三大厂HBM3e 12hi堆栈与HBM4 12hi堆栈仍会继续采用Advanced MR-MUF与TC-NCF堆栈架构，而混合键合与微凸块技术目前尚未呈现明显优势，因此HBM4 16hi堆栈与HBM4e 16hi堆栈仍是混合键合技术较微凸块技术的优势。

如果制造商选择混合键合，则可能需要尽早掌握这种新堆叠技术的学习曲线，以确保未来 HBM4e 和 HBM5 产品能够更顺利地批量生产。制造商已确认，在考虑到堆叠高度、IO 密度和热管理的限制后，将在 HBM5 20hi 堆叠中使用混合键合。

然而，混合键合也面临一些挑战。例如，制造商投资新设备来引进该技术会减少对微凸块的依赖，从而失去该领域积累的优势。

混合键合还存在技术挑战（例如颗粒控制），这可能会增加单位投资成本。此外，混合键合需要晶圆到晶圆的堆叠，如果前端生产良率过低，可能会导致效率低下，并使整体生产在经济上不可行。

TrendForce 指出，采用混合键合可能会导致 HBM 商业模式发生重大转变。确保基片和内存芯片在晶圆到晶圆堆叠时具有相同的芯片尺寸变得至关重要。由于基片的设计主要由 GPU/ASIC 公司处理，因此提供基片和 GPU/ASIC 代工服务的台积电可以承担堆叠基片和内存芯片的责任。如果出现这种情况，可能会显著影响 HBM 制造商在基片设计、堆叠和整体 HBM 订单管理中的作用——可能会重塑竞争格局。

打开网易新闻 查看精彩图片