上海微电子申请7nm光刻机专利，中国产的EUV光刻机不是梦|euv|专利|微电子|阿斯麦

现在不仅是全中国,全世界都在关注中国能不能突破EUV 光刻机,因为科技战打到今天,唯一能掐脖子的就是7纳米以下芯片和EUV光刻机了，现在荷兰阿斯麦已经停止供应EUV光刻机了，我们有钱也买不到,因为它是全球独一份。

要生产7nm及以下制程的芯片，必须要以EUV光刻机,也就是说,一旦我们突破了EUV光刻机，科技战就能立于不败之地。

EUV光刻机是人制造的，不是神造的，我们一定能造出来。用于12吋晶圆的难度大一些，用于8吋晶圆的难度就会小一些。办法总比困难多！我们不是从凭空创造起步，我们已经有制造DUV 光刻机的能力又有EUV光源的相关专利，EUV光刻机迟早能够研制出来。

上海微电子90nm、28nm的光刻机今年交付，目前正在攻关14nm光刻机实现量产,我们是全球唯一独立自主生产光刻机的国家。无论是日本尼康和佳能还是荷兰阿斯麦,他们生产的光刻机都是很多国家一起协作。

独立制造14nm光刻机确实不容易，这比很多人想象的都要难。14nm光刻机已经能满足90%芯片需求，上海微电子已经研发成功，现在就是量产,这已经很厉害了，全世界没有任何一个国家能做到。

现在因为台积电和三星开始断供7nm以下芯片，如果我们不能独自生产7nm芯片，在人工智能领域将止步不前。

其实现在华为的9000S是等效7nm的，9010是等效5nm的，当然我们要承认差距。差距是别人是3nm制程，新架构，还有中国关于芯片的指令集，这些都有一定的差距！所以，路要走是要走的路段，但你说很长，也不算很长，

现在川普即将重返白宫了,在他的团队操控下,全球联合对华断供7nm芯片了，我们已经没有退路，我们只能举全国之力集中攻关，突破14nm，7nm光刻机。其实我们在光科技领域不断取得多项技术进展。

2024年9月10日，上海微电子装备公司意外地向公众宣布了一项全新的发明专利，该专利涉及极紫外辐射发生器和光刻设备。极紫外光刻技术通常指的是利用13.5纳米的光源来进行主流光刻，适用于7nm及更小尺寸的产品。这次我们的专利申请并不是空洞无物，实际上，它涉及到我国在靶材发生器、激光发生器、气控部件等多个设备方面的独特设计理念。

上海微电子也不是孤军奋战。华为可能也有光刻机的项目，因为华为已经公开了一项关于EUV光刻的新专利，其中涉及反射镜、光刻装置及其控制方法。华为的科研实力人所共知,所以我们正处在光刻机突破的前夜,困难是暂时的，前途是光明的。