英伟达Blackwell芯片遇过热问题；华为Mate 70系列开启预订|hbm|京东方|全大核架构|英伟达

【热点速读】
1、英伟达Blackwell架构AI芯片遇过热问题，或致供应延迟
2、最小化DRAM堆叠间距，HBM4考虑采用无助焊剂键合技术
3、华为Mate品牌盛典定档11月26日，Mate 70系列今日开启预订
4、台湾地区半导体产业第4季产值有望达456亿美元，环比增长7%
5、京东方A：拟通过子公司增资北电集成用于建设12英寸集成电路生产线项目

1、英伟达Blackwell架构AI芯片遇过热问题，或致供应延迟

据业界消息，英伟达新一代AI芯片Blackwell架构绘图处理器(GPU)在与服务器搭配时出现过热问题，令部分客户忧心准备时间不足，将导致新数据中心启用、营运进度延迟。

消息称，Blackwell GPU在连接最多可容纳72个芯片的服务器机架时，会出现过热问题；英伟达已多次要求供应商改变机架设计，以解决过热问题，但很显然这一问题并未得到彻底解决。

对于上述消息，英伟达发言人回应称，公司正与顶尖云端服务供应商合作，工程方面的调整「正常且符合预期」。

英伟达Blackwell AI芯片已从第四季度开始发货，并预计在第四季度Blackwell 芯片的营收将达到数十亿美元。微软Azure与谷歌云均宣布已部署运行在英伟达Blackwell系列芯片上的服务器。亚马逊搭载英伟达新一代Blackwell芯片的新系统可能要到明年初才能上线，时程较原先预期晚。

Blackwell的B200搭载8颗24GB HBM3E（8层），总容量达到192GB，容量较前一代的H200搭载的141GB容量提升36%。其中，HBM3E单die容量为24Gb，较HBM3的16Gb提升50%。与H100相比，采用Blackwell架构的「B200 」可将AI训练效能提升四倍、推论表现提升30倍。

英伟达预估2025财年第三季度销售指引为325亿美元，上下浮动2%，这一数字较第二季度增长8.3%，同比增长80%。预计GAAP 和Non-GAAP毛利率分别为74.4%和75.0%，上下浮动50个基点,全年毛利率预计在70%左右。

英伟达将于当地时间11月20日公布其第三季度财报，市场预计财报将优于财测。

2、最小化DRAM堆叠间距，HBM4考虑采用无助焊剂键合技术

随着高频宽内存（HBM）堆叠层数逐渐增加，存储厂商正尝试无助焊剂DRAM键合技术，旨在将DRAM堆叠时的间距最小化。

目前HBM制造商正积极推动在第六代HBM（HBM4）中，引入无助焊剂键合技术。其中，美光动作最为积极，已开始与合作伙伴测试新制程；SK海力士正在评估无助焊剂键合技术。三星电子也正在密切关注相关技术。

一般键合DRAM时，氧化膜可能会降低键合品质，虽然「助焊剂」可以去除氧化膜的物质，但当使用助焊剂之后，即使经过清洗，仍会有残留物。虽然助焊剂是HBM制造的必要材料，但使用助焊剂会产生DRAM的间距问题。以HBM4为例，产品高度为775微米（µm），若要增加堆叠层数，必须缩小DRAM间的间距。在此背景下，业界走向无助焊剂技术，并考虑将无助焊剂技术应用于HBM4。

在HBM制造过程中，无助焊剂键合可以最大程度缩小DRAM堆叠间距。

除无助焊剂键合技术外，业界也正在研发混合键合技术，混合键合是一种直接用铜连接DRAM顶部和底部的技术。由于它不需要HBM目前使用的微凸块（焊球）和键合材料，有望给半导体行业带来重大变化，预计最快将应用于HBM4E产品，2026年导入量产。在此之前，无助焊剂键合技术预计将先实现商用化。

3、华为Mate品牌盛典定档11月26日，Mate 70系列今日开启预订

18日，华为终端官方宣布，华为Mate品牌盛典将于11月26日14:30举行。此前，华为常务董事、终端 BG 董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东曾在月初表示，此次发布的Mate70系列手机将是史上最强大的Mate。

据华为终端官微消息，华为Mate 70系列今日12:08，正式开启预订。

4、台湾地区半导体产业第4季产值有望达456亿美元，环比增长7%

据台湾地区工研院产科国际所统计，第3季台湾半导体业产值约1.38万亿元（新台币，下同）（约合425亿美元），环比增长9%，预期第4季产值有望持续攀高，逼近1.48兆元（约合456亿美元），较第3季再增加6.9% ，全年产值将达5.3兆元（约合1632亿美元），增长22%。

第三季度，IC制造业表现最佳，环比增长11.1%，达8965亿元；IC封装业产值达1114亿元，环比增长9%；IC测试业产值505亿元，环比增长4.3%；IC设计业产值3256亿元，环比增长4.2%。

预计第4季包括IC制造、设计、封装和测试业产值有望同步成长，整体台湾地区半导体产值将逼近1.48兆元，较第3季再增加6.9%。

展望全年，预计台湾地区今年半导体总产值将达5.3兆元，成长22%；IC制造业产值可望成长27.5%，IC设计业将成长16.5%，IC封装业成长8.6%，IC测试业成长5.2%。

5、京东方A：拟通过子公司增资北电集成用于建设12英寸集成电路生产线项目

京东方A公告，拟通过下属全资子公司天津京东方创新投资有限公司与燕东科技等共同向北电集成增资，用于投资建设12英寸集成电路生产线项目。项目总投资330亿元，项目公司注册资本金200亿元，其中天津京东方创投现金出资20亿元，增资完成后持股10%。