1. IGBT功率模块行业发展趋势
1.1全球碳中和背景下的产业机遇
2015年12月达成的《巴黎协定》为全球应对气候变化行动做出安排,众多国家和地区出台碳达峰和碳中和政策目标。我国提出2030年碳排放达峰、2060年实现碳中和;日本、韩国和欧盟等也设定了相应目标。碳中和要求减少化石能源消耗,我国在能源供给端需增加可再生能源使用,消费端提升电力消费比例,传输端降低损耗。IGBT作为电力领域的“CPU”,对新能源汽车、轨道交通等战略性新兴产业发展意义重大。国家电网投入推动电网升级,促进能源低碳转型。同时,第三代半导体行业受国家政策和相关产业发展向好的驱动而火爆。
1.2功率半导体市场发展态势
功率半导体在确保电力供应、节能节电中作用关键,在全球碳中和背景下,随着电动汽车普及和可再生能源发电比重增加,市场份额不断扩大。为降低功率损耗,需提升其性能,IGBT在电气设备功率转换器中广泛应用,降低其功率损耗对碳中和意义重大。功率半导体一直平稳发展,近期显著增温,硅MOSFET、IGBT模组是增长亮点。2019-2025年,功率IGBT模组年均增长率为18%,2025年将会达到54亿美元,市场规模将大幅增长。新基建推动国内功率半导体企业加速发展,中国作为最大消费国,市场需求将高速增长,在新基建的产业环境下,无论是 5G、新能源汽车、数据中心、 人工智能还是工业互联网、特高压、城际高速铁路和城际轨道交通等在内的诸多新兴产业 给功率半导体厂商带来巨大发展空间。以氮化镓为核心的射频半导体,支撑着 5G 基站及工业互联网系统的建设;以碳化硅以及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为核心的功率半导体,支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设;以智能芯片为核心的系统级芯片,支撑着数据中心、人工智能系统的建设。
1.3新能源、智能化汽车对功率半导体的推动
新能源、智能化汽车是功率半导体发展新动力。电动汽车因电池能源转换新增大量功率半导体器件(图1),其成本占比高。汽车中功率半导体主要用于动力控制系统、照明系统、燃油喷射、底盘安全系统等多个系统,传统汽车和新能源汽车对其应用场景和需求有所不同,传统汽车中,功率半导体主要应用于启动、发电和安全领域,新能源汽车普遍采用高压电路,当电池输出高压 时,需要频繁进行电压变化,对电压转换电路需求提升,此外还需要大量的 DC-AC 逆变器 (图 2)、变压器、换流器等,这些对 IGBT、MOSFET、二极管等半导体器件的需求量很大。新增充电桩也增加了功率半导体需求。全球汽车行业正经历新四化变革,传统燃油车市场变化,新能源汽车发展对功率半导体提出更高要求。此外,日本开发的新三栅极IGBT和栅极控制技术可大幅降低开关损耗,有望提高电气设备电力转换器效率,应用领域广泛。电动汽车发展也带动功率模块封装技术更新,对IGBT模块的可靠性、功率密度和成本优势有更高要求。同时,以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体受市场和资本高度关注,在多个领域有重要应用,其应用领域包括电动 汽车、光伏等功率、5G 射频、手机快充等。
2. IGBT功率模块国内行业发展状况
2.1 IGBT芯片的重要性及国外垄断情况
IGBT芯片也被称作绝缘栅双极型晶体管,是广泛应用的功率半导体,在日常生活和交通出行等领域都有身影,尤其在新能源领域作用关键,被称为电力电子行业的CPU,在新能源汽车成本中占据了整辆车成本的 5%, 与动力电池电芯一起被称为是双芯。除了应用在新能源汽车上,IGBT 芯片也是高铁(图 3) 不可或缺的零件。高铁最重要的优势就是速度快,IGBT 芯片的性能能够影响高铁的速度。然而,IGBT芯片技术长期被日本、德国垄断,日本三菱(图4)主要垄断的是高铁领域,德国英飞凌垄断的则是汽车领域。我国高铁虽技术领先,但IGBT芯片大量依赖进口,进口价格高昂且存在交付时间长等问题。在新能源汽车领域,我国本土IGBT芯片制造商少,自给率低,进口率高,德国英飞凌占据大部分市场。
2.2国内企业的自主研发与发展挑战
正如芯片断供,近年来我国华为被美国制裁断供芯片。就是因为这样,我国很早就看清了这一点, 知道我们必须要走自主研发的道路。我国企业积极开展自主研发。中车株洲早在2007年开始研发IGBT芯片技术,通过收购英国公司,于2017年研发出领先水平的国产IGBT芯片用于高铁。比亚迪于2005年开始研究IGBT芯片,2009年推出首款IGBT芯片,打破英飞凌在车用IGBT芯片领域的垄断,但目前与英飞凌仍有技术差距,且在品牌效应上处于劣势,市场占有率增速不快。不过,随着技术不断突破,性能提升,我国有打破垄断趋势。之前全球芯片产业产能崩溃,汽车制造业受芯片短缺影响,这为国产IGBT芯片扩大市场份额带来机遇,同时也面临技术和市场竞争的挑战,只有提高产品性价比和性能,才能提升市场占有率。
3.汽车领域的电控技术发展带来锡焊技术地位提升
3.1汽车电控发展对焊接技术的依赖
汽车为提高性能和功能,电控部分占比增大,加速汽车电子技术发展,新能源汽车内电子装置占比尤其高且呈上升趋势。以电动汽车为代表的新能源汽车内电子装置占比目前已达到 47%,未来会越来越大(图 5)。
随着汽车电子操控化深入,焊接组装技术愈发重要。与一般电子装置相比,车载部件焊接要求和质量标准更高,需要特殊技术和经验。汽车中电子零件和技术对于提高汽车性能不可或缺,随着混合动力车和电动汽车发展(图6、7),增长态势比较迅猛。为了提高汽车的 HV 化、降低油耗、提高安全性或舒适 性等性能,以传感器为代表的电子零件、电子技术必不可缺。而且今后这一趋势会愈加明显。其主要部分是“有关 HV 化的动力部分”。
随着 HV 和 EV 的出现,驱动部分增加了马达、马达驱动器、DC-DC变压转换器(电压转换器)(图8、9)和ECU(电子操控单元)等通过焊接组装的电子零件,焊接工作对汽车高性能化和高功能化至关重要。
3.2汽车焊接的严格要求与技术挑战
汽车品质和可靠性受严格评估,电子控制零部件和功能增多,车载零部件焊接需更高品质和可信度,如对焊接温度有严格管理。此外,近年来机电一体化零部件增多,模块化虽有利于汽车厂家降低成本等,但对制造方技术要求更高,既要保证品质,又要考虑焊接和搬运方法。而且高级车的功能或零件会逐步应用到小型车,制造方要在保证品质基础上考虑量产技术困难。
4. IGBT功率模块局部锡焊方案的最佳选定
4.1 IGBT在电动汽车中的应用与锡焊需求
IGBT 被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航 空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域(图 10)。
在新能源汽车发展下功率半导体迎来成长空间,目前电动车里对功率半导体的应用主要分三类:第一类是主逆变器,主要直接驱动马达,用到大功率 IGBT 模块(图 11、 12);第二类是和充电相关的应用,如车载充电器(OBC)、直流电压变换器(DC/DC)。第三类是辅助类应用,包括 PTC 加热器、空调压缩机、水泵、油泵等。随着环保指令实施,对焊接无铅无卤化和品质要求提高,我们有必要重新认识电子装置焊接方式的重要性。
4.2案例分析:电动汽车空调压缩机项目
在电动汽车空调压缩机项目中,制造装配工艺包括将电机、接插件、IGBT模块装配到铸铝壳体内,装入SMT驱动电路板(图13、14)后进行锡焊,然后经检测和三防处理,再装上其他外围部件等。因车载部件一般不容许人工焊接,考虑IGBT引脚与PCB机焊方式。
对比压接方式、选择性波峰焊方式、自动焊锡机器人方式、激光锡焊焊接系统方式,由于空调压缩机驱动电路板生产过程中,大部分器件采用 SMT 工艺完成,但还有后插元件如:IGBT 功率驱动模块部件、接插件,大型电解电容等不能直接过炉、耐热性较差的部件。因电动汽车空调压缩机的电路板是后配入铸铝的壳体内(图 14),而且电路板必须焊接面向上,选择性波峰焊方式受限,且其设备成本、占地面积、用锡量、电耗和维护成本高,装配精度低。经客户评估,选用激光锡焊机组成生产线(图15),作为他们的局部无接触锡焊方式,该生产线全程进行智能控制,采用画像定位(图16),透锡度高,良品率达PPM级。
4.3案例分析:电动汽车主电控单元项目
在电动汽车主电控单元项目中,制造装配工艺为先将IGBT功率模块和接插件装入铸铝壳体内固定,SMT完成后电路板装配到铸铝的壳体内并将IGBT功率模块盒接插件引脚从电路板引脚孔穿出(图17、18),定位后进行锡焊,再经检测和三防处理等。因电控回路高压,焊接可靠性要求更高。
功率驱动 IGBT 模块部件基板大部分器件采用 SMT 工艺完成,而功率驱动模块元件属后插元件,且不能再过回流炉、而且 IGBT 引出脚多、耐热性较差。而且电路板必须焊接面向上,由于结构原因要焊点加热速度要快,快速完成焊接,否则会损坏器件。工艺要在规定CycleTime:3 Sec内完成一个焊点。经客户评估,选用高性能激光锡焊系统集成生产线,作为他们的局部焊接方式,该生产线全程进行智能控制,锡焊部分采用全闭环红外温度反馈激光加热系统,画像定位精准无接触焊接,透锡度超过100%。
5.结束语
锡焊历史悠久,PCB板发明和SMT技术发展给装联焊接技术带来变革,近几年无铅化和无卤化焊接要求提高,带来诸多新问题,如基板焊盘、树脂耐热问题等。产品焊接品质在长期使用中的稳定性成为重点话题。期待行业人员紧跟技术趋势,用先进设备和工艺方案解决焊接技术难题。未来工厂自动化包括无人和智能化自动化生产线,激光锡焊符合设备无需日常维护保养且产品质量稳定的要求。
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