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环保的锡基钙钛矿材料在高性能第二近红外窗口发光二极管（900 nm – 1700 nm）中展现出显著的潜力。然而，由于锡离子（Sn²⁺）容易氧化，导致有害的Sn⁴⁺引发的缺陷，并进而影响器件性能，因此实现高效稳定的锡基钙钛矿第二近红外窗口发光二极管仍然面临挑战。

在此，复旦大学解凤贤，华侨大学卢建勋和魏展画等人提出了一种有针对性的策略，通过湿气触发锡四卤化物水解，从而消除Sn⁴⁺引起的缺陷，同时不破坏CsSnI₃薄膜中的Sn²⁺。湿气处理过程中，锡四卤化物选择性水解为Sn(OH)₄，从而提供持续的保护。因此，我们成功制造出在945 nm发光的第二近红外窗口发光二极管，突破了性能瓶颈，实现了外量子效率7.6%和工作寿命达到82.6小时。

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Guan, X., Li, Y., Meng, Y. et al. Targeted elimination of tetravalent-Sn-induced defects for enhanced efficiency and stability in lead-free NIR-II perovskite LEDs. Nat Commun 15, 9913 (2024).

https://doi.org/10.1038/s41467-024-54160-x

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