继11月27日宣布2025届总裁级别人事变动后，三星电子今日宣布2025年定期高管人事改组名单，共晋升137人，其中副社长35人、常务董事92人、专家10人。总体调整规模较去年有所下降，在2024年的定期高管人事调整中，共有143人晋升，其中副社长51人，常务董事77人，研究员1人，专家14人。

为了克服当前的管理危机，三星电子在绩效导向的原则下，着重培养提拔技术型人才，以推动其代际更替。三星电子希望借此加强领导力，引领其主要业务的可持续增长，并培养许多软件和新技术领域的人才，以增强新的增长引擎。

此外，为了大胆、富有挑战性地克服内部和外部不确定的经营环境，三星电子选拔了具有优秀管理业绩和成长潜力的年轻领导者。

以下名单主要是DS（半导体）事业部的人事调整：

DS部门晋升为副社长的人员（部分）：

▲ DS事业部内存事业部DRAM设计3组组长Bae Seung-jun（48岁）
作为DRAM I/O电路设计专家，为确保DRAM的高速I/O特性做出了贡献产品，并引领DRAM产品竞争力的提升，其中包括开发业界最快的10.7Gbps LPDDR5X。

▲ DS事业部S.LSI事业部 RF开发组组长Yoo Sangmin（51岁）
作为蜂窝和连接RF设计专家，通过领导5G RFIC产品性能的提高和确保先进技术，为增强RF竞争力做出贡献，例如RFFE和雷达。

▲ DS事业部制造技术部Foundry YE团队PIE 1组负责人Lee Hwa-Sung（54岁）
作为逻辑产品和集成专家，领导逻辑4纳米产品良率的提升并优化新工艺量产，提高Foundry产品的竞争力。

▲ DS事业部CTO 半导体研究院副院长 DRAM TD1团队Lim Seong soo（46岁）作为DRAM产品工艺集成专家，他领导开发了世界上第一个垂直沟道晶体管（VCT），克服了DRAM尺寸限制以确保未来竞争力。

▲ DS部门负责制造和技术的8英寸制造技术组组长Kwon Oh-Gyun（47岁）
作为逻辑器件和工艺技术专家，他领导着从开发到生产的整个过程稳定批量生产和客户响应，增强传统产品性能和业务竞争力。

DS部门晋升为常务董事的人员（部分）：

▲ DS Division存储事业部 DRAM PA3 集团 Chae Kyo-seok（46岁）
作为DRAM产品器件专家，他领导了DRAM器件特性的改进和确保量产，引领行业尖端技术的发展Edge D1b 产品和全球最高容量的D1b 32Gb DDR5产品。

▲ DS存储事业部闪存设计组 1 Park Il-han（48 岁）
作为闪存产品设计专家，他拥有 V-NAND 产品核心电路设计技术，为确保单元特性和可靠性做出了贡献，以扩大高产能QLC V-NAND产品业务。

▲ DS部门LSI部门 AI SoC-P/J Kim Woo-il（46岁）
SoC系统IP设计专家，通过移动/汽车/AI SoC系统IP优化引领SoC性能的提高并确保稳定性、强化科技竞争力。

▲ DS事业部CTO 半导体研究中心下一代工艺开发组3组长Moon Gwang-jin（51岁）
键合/3D集成技术专家，领导下一代产品晶圆键合技术的开发，确保3D结构产品的竞争力。

DS部门晋升为专家的人员（部分）：

▲ MI技术团队DS事业部制造技术经理 Park Mira（46岁）
超细、超高堆叠过程测量技术专家，引领基于AI的过程监控和质量事故预测等测量的进步自动化，提高产量和生产力。

三星电子DS事业部人事调整名单

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来源：三星电子