在这里，福建师范大学李德力、王越和南京工业大学黄维等人使用基于漂移扩散方程的器件物理模型，结合自主开发的等效电路模型，研究了电掺杂对钙钛矿层的影响。我们的结果表明，电掺杂可以使PCE从24.78%提高到>28%。深入的理论分析表明，这些性能的改善是由掺杂对载流子复合过程的调制驱动的，导致开路电压和填充因子的显著提高。此外，我们还探讨了物理参数对器件性能的影响。
研究确定了最佳掺杂浓度范围为1.0 × 1017 ~ 1.0 × 1019 cm-3，最佳转运层迁移率为0.01 cm2 V-1 s-1。该工作为通过靶向电掺杂策略开发超高性能PSCs提供了理论基础。
Electrical Doping Regulation of Carrier Recombination Enhances the Perovskite Solar Cell Efficiency beyond 28%
Xiao Zhang, Qianqian Liang, Qing Song, Yang Liu, Yue Wang, Yonghua Chen, Deli Li, and Wei Huang
The Journal of Physical Chemistry Letters 2024 15 (45), 11224-11233
DOI: 10.1021/acs.jpclett.4c02826
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.4c02826#_i18
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