为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士、三星、以及美光都加大了在高带宽内存（HBM）领域的开发力度，加速推进第六代HBM产品的开发，也就是HBM4。随着HBM代际更迭周期加快，第七代HBM产品HBM4E的开发也提上了日程。

近日，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的开发情况。其中HBM4有望在2026年量产，HBM4E也会在2027年至2028年之间到来。除了提供更高的数据传输速度外，HBM4E还将采用可定制的基础芯片，这标志着行业的范式转变。

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美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E将带来存储器业务的范式转变，采用了台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户定制逻辑基础芯片。我们预计这种定制功能将推动美光财务业绩的改善。”

暂时还不清楚美光的基础芯片设计，除了基本的功能外，可能还会有增强的缓存、为特定应用程序（AI、HPC、网络等）量身定制的自定义接口协议、内存到内存传输功能、可变接口宽度、高级电压缩放和供电控制，以及自定义ECC和/或安全性算法等。由于涉及到标准方面的问题，尚不清楚JEDEC标准是否支持此类定制。

美光表示HBM4E的开发工作顺利，已经与多个客户进行合作，可以预期会采用不同的基础芯片和配置，实现可定制设计。同时美光的HBM4E可能还支持Marvell的定制HBM计算架构，以便更好地定制各种XPU和HBM解决方案。

此外，美光的HBM4将采用1bnm（第五代10nm级别）工艺制造，预计用于英伟达Rubin和AMD Instinct MI400系列GPU，不过竞争对手SK海力士和三星都更倾向于采用更为先进的1cnm（第六代10nm级别）工艺。