近年来，基于金属卤化物钙钛矿的发光二极管（LED）因其表现出高量子效率、良好的光谱可调性并且预计具有较低的加工成本而受到了广泛关注。当峰值发射波长超过900 nm时，人们的兴趣会更高，因为该波长对于生物医学成像、夜视和传感至关重要。然而，制造这些高性能近红外LED仍然面临许多挑战，特别是对于 950 nm以上的波长，这似乎受到低辐射率和差稳定性的限制。
在这项研究中，格罗宁根大学Maria Antonietta Loi等人采用3-（氨基甲基）哌啶鎓（3-AMP）作为锡铅卤化物钙钛矿的体相添加剂。与对照组的钙钛矿薄膜 (0.43 µs) 或用全氟化芳香族单铵分子钝化的薄膜 (0.41 µs) 相比，3-AMP 钝化薄膜表现出明显更长的载流子寿命，超过1 µs。最终，优化的基于锡铅卤化物钙钛矿的LED在988 nm处显示出单发射峰，外量子效率 (EQE) 约为1.4%，这是迄今为止报道的金属卤化物钙钛矿LED的最长波长。
J. Chen, J. Li, R. Pau, L. Chen, M. Kot, H. Wang, L. D. Mario, G. Portale, M. A. Loi, 1.4% External Quantum Efficiency 988 nm Light Emitting Diode Based on Tin-Lead Halide Perovskite. Adv. Mater. 2024, 2415958.
https://doi.org/10.1002/adma.202415958
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202415958#
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