01
前沿导读
美国商务部长吉娜·雷蒙多 （Gina Raimondo） 在接受采访时表示，美国应该更多地关注对国内创新的投资，而不是实施禁令和制裁。她还补充说，“试图阻止中国是愚蠢的差事。”
拜登政府的《芯片和科学法案》，导致该国在建设芯片基础设施方面的投入比过去 28 年的总和还要多，“比出口管制的重视程度更高”。
尽管如此，《华尔街日报》称，拜登总统仍然推动对中国公司的禁令和制裁，甚至敦促包括荷兰和日本在内的盟友阻止中国获得先进技术，尤其是那些包含美国技术的领域。
02
《芯片法案》现存的影响
自从美国颁布了《芯片法案》之后，美国的芯片制造业便获得了大量的资金注入。
根据美国人口普查局的一份报告，计算机和电气制造建设资金的增长如此之大，以至于美国政府仅在 2024 年就将为该行业增加与过去 28 年一样多的资金。
美国的芯片制造业增长最早开始于 2021 年，但其爆炸式的繁荣情况，是由于拜登政府于 2022 年通过的 2800 亿美元支出计划《芯片与科学法案》的资金大幅增加。
该法案的签署是为了支持美国半导体行业，包括英特尔、三星和美光在内的公司都获得了数十亿美元，用于在美国建造新的制造工厂，美国本土的科技研发也是该资助计划的一大重点。
建设资金正在对美国预计的芯片扩充产生重大影响，美国半导体行业协会最近的一项研究发现，到 2032 年，美国的国内芯片制造能力将增加两倍，预计到同年将生产全球 30% 的尖端芯片，这种期望甚至超过了政府夸大的目标。
美国商务部长吉娜·雷蒙多 （Gina Raimondo） 仅在 2 月份就大胆宣布了将全球领先芯片占 20%的目标，现在预计这一目标将远远超过。
她还曾经就《芯片法案》的资源投入做出了回应：“我们认为，我们对尖端逻辑芯片制造的投资将使这个国家走上正轨，到本十年末，生产出大约 20% 的全球领先逻辑芯。”
台积电以 N3B 和 N3E 3nm 级工艺技术量产芯片，这些可以被认为是世界上最先进的生产节点。与此同时，英特尔即将开始在其英特尔 20A 制造工艺上大规模生产芯片，这是一种 2nm 级制造工艺，可以提供比台积电的 N3B 更好的特性。
然后，英特尔预计将在 2025 年开始使用其英特尔 18A 工艺技术制造芯片，该公司表示，该节点的表现显然将优于台积电的竞争对手。
大多数通过《芯片法案》获得补贴的新工厂，都还在建设当中。
例如英特尔的新俄亥俄州园区，英特尔的俄亥俄州工厂和许多同行将成为芯片制造领域的主要参与者，领先的芯片工艺开发预计将最终进入美国，与通常由美国晶圆厂承担的更大、更简单的工艺相比，这是一个进步。
尽管花费了大量资金，但全国各地的大部分晶圆厂建设都出现了重大延误：三星、台积电和英特尔都比计划晚了一年或更长时间。这主要归咎于监管不力，使美国成为世界上芯片制造建设最慢的国家之一。
《芯片法案》的通过，为台积电提供数十亿美元的赠款和贷款，用于在美国建造和扩建制造设施。台积电的协议包括 66 亿美元的赠款和高达 50 亿美元的贷款，用于开发亚利桑那州凤凰城的 Fab 21。
03
《芯片法案》未来的影响
雷蒙多部长在最近的采访中说：“击败中国的唯一方法是保持领先，我们必须跑得更快，超越创新，这就是获胜的方式。”
目前来说，美国本土的晶圆企业，没有一家拥有7nm芯片的制造能力，英特尔也是如此。英特尔虽然拥有EUV设备，但是一直在打磨老旧的10nm工艺。就算拥有一批7nm技术的芯片，也是基于10nm的变体技术。
英特尔的业务板块以移动终端的CPU为主，不集成GPU等其他模块，而英特尔发家的存储器技术，早在格鲁夫当CEO的时代，就已经砍掉了。
终端CPU并不太需要先进制程的芯片，手机的SOC集成度相对来说更高，需要的制程工艺也就越好，先进的制程工艺可以有效的提升内部零部件跟CPU之间的数据抓取速度。
全球内拥有先进制程工艺制造能力的晶圆企业，只有韩国的三星以及中国台湾的台积电。
美国《芯片法案》的推动，目的就是让这些拥有先进制造技术的企业，在美国建厂，以此来弥补美国没有先进制造技术的弱点。
只有让美国本土的企业掌握了先进制造技术，才能让美国在芯片制造业占据主导地位，拥有行业的话语权。
台积电当初被三星在制造工艺上面反超，张忠谋紧急启动了夜莺计划，以年薪增加30%，分红增加50%的待遇提升，要求全部的研发工程师实行三班倒，24小时不间断的进行技术研发，成功的在制造技术上面再次压制了三星。
由于美国对中国的制裁，倒逼了中国芯片企业在技术上面的快速研发时代。目前为止，中国芯片的制造能力已经来到了快速增长的时期，市场占比迅速挤压了其他海外企业的份额。
虽然在先进技术上面，中国芯片的性能与工艺还无法与国外的技术相比。但是在整体的制造规模上面，中国大陆的晶圆企业已经获得了显著的增长优势。预计在未来几年内，这个优势还会继续扩张，并且持续压制其他晶圆企业的制造规模。
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