8月4日，美股盘前存储板块走强，美光科技（MU.US）盘前上涨3.68%，SK海力士（SKHY.US）盘前上涨3.00%，闪迪（SNDK.US）盘前上涨4.05%，西部数据（WDC.US）盘前上涨2.92%，希捷科技（STX.US）盘前上涨2.44%。

消息面上，8月4日韩国KOSPI指数收涨1.62%，报6358.95点。个股方面，SK海力士微涨0.64%，三星电子微涨0.21%。当日，韩股盘中大幅震荡，三星、SK海力士盘中一度跌超4%后又相继转涨，韩国创业板指期货一度上涨超过6%，触发熔断机制。

同时，SK海力士联合闪迪发布高带宽闪存（HBF）首套标准规范，产品最高支持16层堆叠，单颗容量可达512GB。

今年2月双方牵头成立HBF规格标准化联盟，历经6个月完成本次标准制定，整套规范依托全球最大开放数据中心技术合作组织OCP（开放计算项目）对外公开，可供全行业免费使用这套开放标准技术。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达（NVDA.US）对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM412hi、HBM48hi等设计，目前尚未定案。除了NVIDIA外，部分云端服务供应商也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。