本报（chinatimes.net.cn）记者卢晓 北京报道
三星电子发布的最新Q3业绩指引，是观察存储市场现状的重要窗口。
10月8日，三星电子宣布，今年Q3其合并销售额约为195万亿韩元，同比增长近126.6%，合并营业利润约107.4万亿韩元，同比增长约782.5%。但也就在当天，其股价报收26.2万韩元，下跌2.42%。
高涨的财报数据与资本市场的下跌形成鲜明矛盾，存储这个推动三星电子业绩增长的最大动力，正面临增长动力放缓的隐忧，AI带来的存储市场红利还能持续多久？
环比增速放缓
今年Q3，三星电子历史上首次单季营业利润突破百万亿韩元。而HBM（高带宽内存）是其利润增长的重要因素。
据《华夏时报》记者了解，今年Q3是三星电子今年2月量产的HBM4从量产爬坡转向规模放量的关键季度。其在今年7月末的2026年Q2财报电话会议中预计，今年Q3，HBM4销售额将环比增长超过3倍，下半年HBM4销售额将超过其HBM总销售额的60%。
此外，还有产业链消息称，三星电子的12层HBM4E（HBM4增强版）产品已于2026年9月底通过了英伟达及多家主要超大规模数据中心运营商的客户质量验证。
但这份最新业绩指引也透露出三星电子面临的增速隐忧。
从环比来看，其今年Q3的增长速度，在前三个季度中增幅最低。财报显示，三星电子今年Q3的合并销售额环比上涨13.7%；合并营业利润环比上涨20%。这两个数字，分别约是其今年Q2环比增速的1/2和1/3，约是其今年Q1环比增速的三成和一成。
而从同比来看，今年Q2才是三星电子的增速高峰：当期其合并销售额同比增长130%，比Q3略高，但其营业利润同比大增1814%，超过Q3两倍。
不过，三星电子去年Q2业绩的低基数不容忽视。财报显示，去年Q2，三星电子触达当年业绩谷底，74.6万亿韩元的合并销售额，同比增长0.7%，但环比下降5.8%；而4.68万亿韩元的合并营业利润更是同比腰斩，环比下降近30%。
有业内人士在跟本报记者交流时认为，三星去年Q2业绩承压的核心原因在于，其HBM3E（HBM3增强版）迟迟未能通过英伟达认证，以及出口管制等因素。该人士还认为，三星电子今年Q3涨势放缓还源于当期韩元对美元汇率大幅升值以及负责电视、手机等终端产品的DX部门表现较弱。
AI红利能到何时
在眼下这波AI需求爆发带动的存储风口中，负责半导体业务的DS部门一直是决定三星电子业绩走向的重要引擎。
随着HBM3E认证等问题得以解决，去年Q3三星DS部门的营业利润从Q2的0.4万亿韩元一举飙升至7万亿韩元。今年Q2，DS部门更是凭一己之力撑起三星电子的盈利江山：当期其89.2万亿韩元的营业利润，约占三星电子整体利润大盘的99.7%。
但市场关心的一个关键问题是，以三星电子为代表的存储行业还能享受多久的AI红利？
透镜研究创始人况玉清对《华夏时报》记者表示，三星股价波动反映的是资本对存储市场的预期，最近一年存储市场被AI数据中心和存储需求拉爆，供不应求的局面推动存储板块业绩持续上涨。但至少在过去二三十年里，存储是一个非常典型的按供需变化的周期股，“几乎每隔5至8年就会循环一次”。他认为，市场担心周期规律或将重演，这是近期存储板块股价回调的主要原因之一。
据记者了解，目前HBM产品价格依然在持续走高。今年9月，TrendForce上调HBM价格预期，预计2027年HBM混合平均售价同比增幅可达121%。
但需要提及的是，三星电子存储业务的大头还是通用型DRAM产品。10月1日高盛发布的研报预计，三星电子2027年HBM收入将突破100万亿韩元，占其DRAM总收入比重将从2026年的8%大幅提升至19%。
而通用存储市场的价格涨势已经明显放缓。TrendForce预计，今年Q4常规DRAM合约价环比涨幅10%至15%，作为对比：其此前预计今年Q2常规DRAM合约价涨幅高达58%至63%，今年Q1则高达90%至95%。
对于通用DRAM价格的涨势放缓，IDC中国研究经理辛一对《华夏时报》记者表示，这源于消费端承受力已到临界点，而服务器级用长协形成价格封顶效应，“需要强调，供给端并没有变松，原厂把先进制程产能持续转向服务器，Q4仍供不应求。放缓是‘边际买家付不起了’，而不是‘货够了’。”
辛一同时认为，DRAM供需紧张要持续相当长一段时间，因为服务器侧对高性能内存和缓存需求持续旺盛，而原厂扩产周期固定，预计到2028—2029年才能得到缓解。NAND相对较早能见到曙光，2027年NAND供需比转为正值，从偏紧转宽松，“中国产能是2027年的关键变量：长鑫上海新厂、长江存储武汉三厂规划2027年量产。新增产能更多是补缺口，而不是砸价格，所以下行斜率会比历史上的周期平缓得多。”
责任编辑：黄兴利 主编：寒丰
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