快科技10月26日消息，据报道，中国存储芯片厂商长鑫存储与长江存储的快速崛起，正引发韩国半导体产业的深度焦虑。韩国咨询公司三一普华永道近日发布报告，敦促三星与SK海力士在通用存储芯片领域强化成本竞争力，同时加倍押注HBM等尖端赛道，以守住利润防线。

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市场份额的变动已经非常直观。据Counterpoint Research数据，2026年第二季度长鑫存储在全球DRAM营收中的份额达到10%，较去年同期的4%翻了一倍多，稳居全球第四，仅次于三星、SK海力士与美光。

长江存储则在NAND出货量上首次跻身全球第三，仅排在三星与SK海力士之后，营收份额从去年同期的9%攀升至14%。

SK集团董事长崔泰源此前已公开警告，如果中国竞争对手或美光加快扩产速度，韩国可能失去市场份额。他还质疑了美国主导的出口管制是否有效，指出长鑫与长江存储在多年技术限制下依然取得了稳步进展。

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韩国巨头的应对策略是双线作战。一方面，三星正将西安工厂改造为286层NAND产线，SK海力士则计划在大连工厂生产240层以上产品，以应对长江存储在成熟NAND领域的冲击。

另一方面，三一普华永道的报告强调，中国在HBM与先进封装等尖端领域仍处于追赶阶段，客户验证与高良率量产仍是壁垒，韩国必须死守这块利润高地。

但真正的威胁正在从通用市场蔓延。长鑫已宣布年底前推出基于4F²架构的服务器DDR5内存，这一节省空间的设计同样在三星与SK海力士的开发路线图中。而在这场下一代DRAM架构的竞赛中，谁先实现量产，谁就将率先取得成本优势与市场的主动权。

而中国厂商将通用市场赚取的利润投入尖端技术研发，韩国存储双雄的利润腹地正面临前所未有的挤压。

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