三星电子HBM3E取得进展，Q4扩大销售；苹果大中华区销售额持续下滑；韩国10月半导体出口额创历年同月新高

三星半导体利润环比降40%，计划年底前库存水平正常化，加速向先进节点转换

CFM：全球嵌入式存储市场份额数据出炉；AMD上调AI芯片全年收入至50亿美元以上；铠侠量产QLC UFS 4.0

存储渠道市场去库存初步奏效短暂止跌！然行业市场和嵌入式价格跌势再度延续

三星电子拟2026年推出400层NAND；江波龙库存金额实现双位数压降；苹果发布新款iMac，标配16GB内存

CFM：DDR4、DDR5巨大价差影响部分服务器客户切换至DDR5动力

西部数据：按计划分拆Flash和HDD业务，预计即将进行融资，增加eSSD资本支出

SK海力士：Q4 HBM销售额将占DRAM营收40%，eSSD已占NAND营收超60%，Q4展望依然积极

金士顿退出品安董事会；Arm、高通法律纠纷升温；英伟达确认Blackwell芯片设计缺陷已修复

供应端部分资源供需失衡持续冲击存储行情，多数价格延续下跌！后市悲观看跌气氛浓厚

华邦电子：DRAM Q4开始减产，产能稼动率降至8成；西部数据专利侵权败诉；苹果iPhone 16全系降价

9月国内智能手机产量环比增长26%；台湾地区PC厂商Q3业绩大增加速“争食”；英特尔寻求出售Altera股份

南亚科技Q4 DDR5产能将提升至15%；韩国10月前10天芯片出口额飙升45.5%；美光CXL 2.0内存模块开始送样

传三星电子将大幅裁撤DS部门高管；消息称三星削减明年HBM产能；德明利募资近10亿元用于存储芯片研发

台系存储厂商9月业绩对比；美光科技发布全新LOGO；群联：市场对高容量NAND存储模组需求持续上升

SK海力士Q3营业利润或将再超三星DS部门；CFM：部分Flash Wafer价格下跌；威刚看好Q4库存消化后现回补需求

现货低容量LPDDR价格下探，节后存储行情仍需观望

原厂NAND供应策略较为摇摆，DRAM结构性分化严重

美光业绩指引超预期，AI推动HBM需求增长，盘后股价大涨14%

存储现货需求出现季节性回温，然价格预期走弱下，现货市场难改下跌行情