三星公布LPDDR6研发成果；惠普预警：全年业绩将处于指引区间下限；传三星将S26 Ultra初始产量上调至300万部

全球存储市场规模再创历史新高，4Q25 DRAM/NAND Flash营收市占排名出炉

铠侠：去年Q4库存天数已降至不足3个月，预计Q1营业利润、净利润环比增长至少两倍！

SK海力士开发新技术降低NAND制造成本；三星研发3D堆叠结构HBM；英特尔ZAM内存单片容量达512GB

CFM发布最新服务器DDR5内存条价格，相较上季度涨幅超过100%

消息称三星最早下周开始量产HBM4；华邦电子、十铨1月营收创新高；广达：Q1笔电出货将环比下滑双位数

群联、威刚、创见1月营收均创历史新高；美国科技四巨头今年资本支出预计超6000亿美元

少量订单支撑LPDDR4X及部分行业SSD、内存条价格上涨，年关渐近整体市场交易偏淡

闪迪：2025年Q4 NAND平均售价大幅上涨约35%，预计今年一季度供应更加紧张！

三星电子：预计HBM4于2月开始发货，今年HBM销量将同比增长超三倍！

CFMS｜MemoryS 2026：3月27日深圳见！

SK海力士：年度和季度业绩均创历史新高，HBM4已量产

供不应求局面难有改观令NAND资源成本高企，行业、渠道及嵌入式成品价格继续上攻

三星HBM4E研发进度曝光；兆易创新2025年业绩预增；仁宝：内存成本占PC零部件比重已翻倍

微软计划在AI数据中心部署LPDDR；德明利发布2025年度业绩预告；三星拟将2nm工艺用于定制HBM逻辑芯片

上游NAND价格持续上涨令存储厂商加大成本管控力度，多数成品端价格向上突破前高

消息称三星1c DRAM良率已接近60%；美光收购力积电P5工厂扩大DRAM产能；澜起科技2025年年度业绩预盈

消息称SK海力士无锡厂DRAM已升级为1a工艺；英伟达再次提高HBM4标准；OpenAI拟斥巨资租用AI算力

嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主

群联12月营收创历史单月新高；台积电：Q1有望淡季不淡；机构：11月全球半导体销售额创历史新高