前言
充电头网采购到了双木三林推出的一款氮化镓功率放大器，这款功放型号为PA200，采用全铝合金外壳，设有显示屏和功能旋钮，并附带红外线遥控器，便于调节音量。功放背面设有音频输入插座，喇叭输出和电源输入插座，正面干净清爽。
双木三林这款氮化镓功率放大器内置大功率专用开关电源，内置英飞凌氮化镓功率管，并设有过热和过流保护电路，支持单声道桥接模式和立体声模式。单声道模式下8Ω负载具备250Wrms功率，立体声模式下8Ω负载具备85Wrms功率。
氮化镓器件相比传统硅器件提升开关速度，减小死区时间，提升数字功放的调制频率。相比传统的硅器件，氮化镓数字功放可以获得更低的失真度，更宽的频率响应和更高的动态范围。下面就带来双木山三林这款氮化镓功放的拆解，一起看看内部的设计和用料。
双木三林PA200氮化镓功率放大器开箱
双木三林氮化镓功率放大器采用纸盒包装，包装印有品牌标识，型号和产品外观图。
配件包含电源线，说明书，保修卡和遥控器。
机身正面左侧设有显示屏，中间设有音量调节旋钮。
背面设有线路输入接口，XLR接口，功放输出接线柱和电源输入插座。
机身底部设有盖板，通过螺丝固定。
机身底部脚垫采用橡胶材质，防止滑动。
双木三林PA200氮化镓功率放大器拆解
看完了双木山三林这款氮化镓功放的开箱，下面就进行拆解，一起看看内部的设计和用料。
拧下固定螺丝，拆下机身底部盖板。机身内部通过壳体分为两个部分，分别为开关电源模块和功放模块。
壳体整体通过CNC加工制成，内部设有隔板用于开关电源模块和功放模块隔离。
显示屏幕通过小板连接。
电源插座通过胶水固定在壳体内部。
开关电源模块设有麦拉片绝缘。
开关电源模块正面一览，上方为交流输入端，设有保险丝，安规X2电容，共模电感，散热片为初级开关管和整流桥散热，内部设有高压滤波电容。下方设有变压器，整流管，滤波电容，滤波电感和输出插座。
开关电源模块背面设有主控芯片，二极管，反馈光耦和电阻电容元件。
输入端保险丝来自功德，规格为6.3A 250V。
NTC热敏电阻来自时恒电子，为MF72系列，丝印3D11，用于抑制上电的浪涌电流。
安规X2电容来自圣融达，规格为0.22μF。
共模电感采用漆包线绕制，散热片下方设有安规X2电容。
散热片下方设有整流桥，共模电感和高压滤波电容。
另一颗共模电感同样采用漆包线绕制。
整流桥型号KBJ6MA，规格为6A 1000V，采用KBJ封装。
焊接取下高压滤波电容。
高压滤波电容为JML品牌。
规格为120μF400V。
初级主控芯片来自昂宝，型号OB2362D，是一颗高性能的反激开关电源控制器，芯片支持多模式运行，具备全面完善的保护功能，采用SOT23-6封装，适用于电源适配器应用。
为主控芯片供电的滤波电容规格为10μF50V。
散热片固定初级开关管。
初级开关管来自威谷，型号WGF65R190G，NMOS，耐压650V，导阻165mΩ，采用TO-220F封装。
变压器采用PQ3220磁芯，缠绕胶带绝缘。
蓝色Y电容来自皓华电子。
亿光 EL817 光耦用于输出电压反馈。
整流管来自华微电子，型号HBR20200，为肖特基二极管，规格为20A 200V，采用TO-220HF封装。
输出端设有滤波电容和滤波电感。
滤波电容来自承兴。
规格为1000μF50V，使用两颗滤波。
两颗绿色LED灯用于电源指示。
功放模块正面一览，左上角设有音频输入插座，下方设有切换继电器，运放，数字电位器和稳压芯片。中间位置设有氮化镓功放模块，功放模块中间和下方设有滤波电容。底部设有主控MCU和USB-C插座。
功放模块右侧上方设有输出插座，输出滤波电感，滤波电容和MOS管。右侧中间位置设有电源连接插座，右侧下方设有屏幕连接插座。
功放模块背面设有铝合金块导热，通过螺丝固定。
拆下氮化镓功放模块，在模块背面设有铝合金块和导热垫，通过螺丝固定，并通过插接件连接。
铝合金块涂有导热硅脂连接到壳体导热。
主控MCU来自灵动微，型号MM32F103VET6，芯片内置ARM Cortex-M3内核，主频96MHz，内置512KB FLASH和128KB SRAM，支持2.0~5.5V工作电压，具备8个UART接口，2个I2C接口，3个SPI接口，1个CAN接口，1个USB OTG接口和1个SDIO接口，采用LQFP100封装。
MCU外置8.000MHz时钟晶振特写。
串口转换芯片来自沁恒，型号CH340E，用于USB转换串口或USB转换打印口，具备全速USB设备接口，兼容USB V2.0，支持5V和3.3V电源电压，采用MSOP10封装。
稳压芯片来自微盟，丝印VAUD，采用SOT23封装。
主板上设有USB-C母座，过孔焊接固定。
降压芯片来自顾邦半导体，型号GBI1600，是一颗4-60V输入电压的非同步降压转换器，芯片内置开关管，支持1A输出电流，开关频率为600kHz，具备欠压保护，过热保护，逐周期电流保护，采用TSOT23-6L封装。
100μH降压电感特写。
滤波电容规格为100μF16V。
另一颗降压芯片同样为顾邦半导体GBI1600。
100μH降压电感特写。
两颗稳压芯片来自长晶科技，型号CJ78L12，支持35V输入电压，输出电压12V，输出电流100mA，采用SOT-89-3L封装。
升压芯片来自首鼎，型号SDB628，芯片内部集成80mΩ开关管，支持2-24V输入电压，开关频率为1.2MHz，输出电压可调，最高输出电压为28V，采用SOT23-6封装。
10μH升压电感特写。
滤波电容规格为220μF16V。
两颗稳压芯片型号被打磨。
滤波电容规格为470μF10V。
运放来自日清纺，型号NJM2068D，为低噪声双运放，支持±4~±18V工作电压，采用DIP8封装。
电解电容来自红宝石，规格为35V47μF，共计4颗。
切换继电器来自宏发，型号HFD4/3-S，为超小型第四代信号继电器，触点切换能力为2A 30VDC，为标准表面贴装型。
另一颗继电器型号相同。
数字电位器芯片来自德州仪器，型号PGA2311，是一颗高性能立体声音量控制芯片，内部采用高性能运算放大器，可直接驱动660Ω负载，具备三线串行控制接口，采用SOIC-16封装。
滤波电容来自红宝石，规格为50V470μF，共使用8颗。
氮化镓功放模块正面设有运放，驱动器和氮化镓功率管。
背面焊接连接排针，并设有电解电容滤波。氮化镓开关管设有过孔焊盘散热。
运放来自亚德诺，型号AD825，是一颗通用高速JFET放大器，支持±5~15V供电电压，压摆率为125V/μs，具备高输出驱动能力，采用SOIC8封装。
微调电位器特写。
滤波电容规格为50V10μF。
驱动器来自英飞凌，型号IRS20957S，是一颗高压，高速MOS驱动器，具备浮动PWM输入，开关频率可达800kHz，支持±100V供电电压，具备高抗噪性，具备双重过流和直通保护，以及偏置电源欠压闭锁保护，采用SOIC16封装。
MLCC电容用于供电滤波。
氮化镓开关管来自英飞凌，型号IGT60R070D1，为增强型氮化镓开关管，耐压600V，导阻70mΩ，采用HSOF-8-3封装。
对应氮化镓功放模块下方设有导热垫和散热块，并通过螺丝固定。
滤波电感来自相模，采用无氧铜线绕制，规格为22μH。
薄膜电容规格为0.22μF63V。
薄膜电容来自飞尔可，规格为0.22μF。
用于输出控制的MOS管来自微硕，型号WSP6946，为双NMOS，耐压60V，导阻33mΩ，采用SOP-8封装。
丝印K4N的双三极管特写。
滤波电容规格分别为220μF16V和330μF10V。
用于工作指示的贴片LED特写。
XLR输入接口特写。
全部拆解一览，来张全家福。
充电头网拆解总结
最后附上双木三林PA200氮化镓功放的核心器件清单，方便大家查阅。
双木三林氮化镓功率放大器采用一体式铝合金外壳，前面板设有显示屏和功能旋钮，机身背面设有音频输入插座，扬声器输出接口和电源输入插座。可与家族产品垂直摆放，具备良好的一致性。功放支持100-240V宽电压输入，具备单声道桥接模式和立体声模式。
充电头网通过拆解了解到，这款氮化镓功率放大器内部采用开关电源模块和氮化镓功放模块组成，开关电源使用两路昂宝OB2362D电源芯片，搭配威谷WGF65R190G开关管和华微电子HBR20200整流管，组成正负供电的电源模块为氮化镓功放模块供电。
氮化镓功放模块使用英飞凌IGT60R070D1氮化镓开关管，搭配使用英飞凌IRS20957S驱动器，使用亚德诺半导体AD825运放进行放大。主控MCU采用灵动微MM32F103VET6，数字电位器采用德州仪器PGA2311，并使用日清纺NJM2068D运放进行前置放大。
双木三林功放内部对应氮化镓功放小板底部，设有导热垫和铝合金块导热到壳体被动散热，内部电源模块与功放模块设有隔板抑制干扰，并设有宏发继电器用于音频信号切换，功放整体做工扎实，用料可靠。
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