被合成的MoSe2多为二维片层结构,其他如管状.棒状等纳米结构多以模板法合成。在MoSe2片层结构的基础上,在非模板法的前提下通过简单的一步溶剂热合成了纳米片层堆叠的三维的一种花球结构,三维结构的构建提高了材料的稳定性,并且合成的花球为内部中空结构,中空结构又提供了更多的活性位点,同时有利于电解液的渗透和迅速的离子交换,提高了MoSe2材料的电化学性能。

片层堆叠的花球结构的二硒化钼超级电容器电极材料制备方法;(1)室温下,量取过氧化氢加入到钼粉中,钼粉溶解;(2)量取水合册加入到硒粉中,硒粉溶解;(3)量取N,N-二甲基甲酰胺加入到步骤(1)的溶液中;(4)将步骤(3)得到的均匀溶液转移至反应釜中继续搅拌,在搅拌条件下,将步骤(⑵)得到的溶液加入到以上反应釜中,混合磁力搅拌:(5)将反应釜置于烘箱中160~200℃反应,然后冷却至室温得到反应产物;产物抽滤、洗涤、干燥得到片层堆叠的花球结构的MoSez用常片法制作成电极。电极比容量在1A/g条件下有286.6F/g,在2A/g条件下有268.8F/g。

中文名称：二硒化钼

英文名称：MOSe2

外观：固体/液体

规格：mg

储存条件：-20℃

浓度：95%+

溶解条件：有机溶剂/水

用途：用于科研，不能用于人体

瑞禧WFF.2022.7