美方实施芯片限制之所以会盯上光刻机，之前限制中芯国际等中企购买EUV，如今又拉拢日、荷想要共同限制DUV，主要是因为光刻机是芯片制造过程最核心的设备。

可以说，光刻机的先进程度决定着芯片制程水平的高低，7nm及以下要用到EUV，以上要用到DUV。除了荷兰还拉上日本，从尼康中标就能明白，ASML按捺不住了！

光刻机按用途可分为三个大类，即前道光刻机、后道光刻机以及LED领域及面板领域的光刻机。我们常提到的芯片制造使用的光刻机是前道，后道光刻机主要用于封测。

这三类光刻机中，难度最大的就是前道光刻机，目前全球只有4家能够生产，即荷兰的ASML、日本的尼康和佳能、我国的上海微电子。那么，他们都是什么水平呢？

这就需要先了解下光刻机的发展历程，光刻机从诞生到现在几十年共发展了五代。

第一代g-line、第二代i-line为接触式/接近式光刻机，这已经落后了，一般都能做。

第三代KrF扫描投影式光刻机，第四代ArF步进投影式光刻机，之后又延伸出浸入步进式光刻机，这两代为DUV。第五代为EUV极紫外式光刻机，只有ASML能做。

日本的佳能如今只能出货KrF及以下型号。我国的上海微电子，从官网可以看到，ArF、KrF及以下型号都可以生产，目前正在攻坚的28nm光刻机应该就是ArFi浸入式。

我们重点要关注的，其实就是ArFi浸入式DUV光刻机，这也是当年ASML能够超过日本尼康和佳能，成为全球光刻机霸主的关键节点。在此之前，ArF干式还非常领先。

所谓干式光刻机，就是以介质为空气，做出193nm波长的光线，直接进行光刻。当时的干式光刻机技术，尼康和佳能可是光刻机巨头，ASML还只是个级别很低的小厂。

然而，ASML积极配合台积电的林本坚，改为以水为介质，直接让波长变成132nm。

当时，林本坚提出以水为介质的观点后，尼康和佳能已经投入了几十亿美元，继续研发157nm的干式技术，根本不理会林本坚的浸润式技术，这让ASML逮住了机会。

因此，ASML率先推出了ArFi浸入式DUV光刻机，这让尼康、佳能的干式光刻机直接落后，ASML因此迅速占领了市场。然后，不断发展壮大，又研发出EUV彻底领先。

但尼康、佳能并不甘心，后来尼康研发出了ArFi，佳能研发NIL纳米压印光刻技术。

近年来，我们一提到光刻机就是ASML，甚至忽略了尼康和佳能，主要是ASML不仅垄断了EUV，DUV方面出货量的占比也很大，我们中企购买DUV一般选择的是ASML。

不过，近日消息传来，在国内晶圆企业设备招标中，上海积塔半导体发布了1台ArFi浸入式DUV光刻机招标，结果显示日本尼康中标，而不是我们常提到的荷兰ASML。

这估计会令ASML感到非常意外，因为之前但凡有中企购买DUV，一般都是ASML。

其实，尼康之前的光刻机主要供货英特尔。但去年日媒报道，尼康宣布要大举扩大光刻机产能，提高到目前的3倍以上，并减少对英特尔的依赖，加大大陆市场布局。

如今，据说美日荷三方已经达成了共同限制协议，接下来可能要限制DUV光刻机，没想到尼康率先行动了，提前争抢大陆的光刻机市场，这自然会影响到ASML的份额。

本来，ASML就不想听从美方要求限制DUV，担心会大陆市场，没想到还是被抢了。

近段时间，ASML本来就很着急，因为三方协议已经达成，实施DUV限制的可能性很大。于是，ASML率先公开了消息，本意就是想提醒中企，在限制实施前尽快下单。

ASML其实就是想争取尽可能多的出货DUV，尽量减少限制带来的损失，没想到被尼康给抢先了。因此，有外媒表示，ASML按捺不住了，接下来可能会有更大举动！