第三代半导体材料,指带隙宽度明显大于 Si(1.1 eV)和 GaAs(1.4 eV) 的宽禁带半导体材料,主要包括Ⅲ族氮化物(如 GaN、AlN 等)、碳化硅(SiC)、氧化物(如 ZnO、Ga2O3 等)半导体和金刚石等宽禁带半导体。当前具备产业化条件的以SiC 和 GaN 为主,AlN、ZnO、Ga2O3 、金刚石等宽禁带半导体大多处于实验室研究阶段,产业化尚需时日。

第三代半导体材料性能更加优异。相对于 Si、GaAs 和 InP,第三代半导体材料具有高击穿电场强度、高热导率、高电子饱和率、高漂移速率以及高抗辐射能力等优越性能,这些优越性能有望大幅降低装置的损耗和体积/重量,因而第三代半导体材料在高功率、高频率、高电压、高温度、高光效等条件方面具有难以比拟的优势和广阔的应用前景。

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