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1. 北方华创

刻蚀设备 -- 先进制程刻蚀机已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用

薄膜沉积 -- 先进制程薄膜沉积设备(14nm)已在客户端通过多道制程工艺验证，并实现量产应用

2. 中微公司

2022年新签订单63.2亿元，同比增长53%

CCP --

逻辑：12英寸设备已应用于65nm到5nm及更先进生产线上。应用于28nm及以下的一体化大马士革刻蚀进展良好

存储：设备已在64层和128层3D NAND量产先上应用，已通过动态存储器工艺验证并取得订单，60:1极高深宽比刻蚀进展良好

ICP -- 可满足55nm到28nm逻辑芯片ICP刻蚀工艺，在DRAM、3D NAND和存储器件刻蚀应用范围不断拓展，已在20家客户产线上量产

薄膜沉积 --

LPCVD设备：首台CVD钨设备已交付关键存储客户端验证，满足先进逻辑接触填充、64层和128层3D NAND应用。正在开发新的金属钨填充工艺方案，以满足更高深宽比接触孔及沟道电极需求

ALD设备：ALD钨设备正在开发，可应用于高端存储，已开始实验室测试及与客户对接验证。应用于高端存储和逻辑的ALD氮化 钛设备已进入实验室测试阶段

3. 拓荆科技

2022年新签订单43.62亿元(不含Demo)，同比增长95%

PECVD --

覆盖全系列PECVD薄膜材料，包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介质薄膜材料，以及 LoKI、LoKII、ACHM、ADCI、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料

逻辑：完成28nm量产应用，14nm/10nm验证中

存储：SiN、SiON、TEOS、ACHM材料已在64层3D NAND应用，128层3D NAND、19/17nmDRAM产业化验证中

SACVD -- SA TEOS、BPSG、SAF工艺取得客户验证

ALD -- PEALD SiO2、SiN产业化应用中，TALD Al2O3已在客户端验证

HDPCVD -- 可以同时进行薄膜沉积和溅射，薄膜致密度更高，已通过产线验证，可以沉积SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料

4. 微导纳米

2023年前四月新签半导体设备订单2.42亿元，近22年全年水平。截至22年末半导体在手订单2.57亿元

薄膜沉积 --

ALD：获得逻辑、存储、化合物、新型显示批量订单，12寸 28nm逻辑high-k设备获得量产验证

CVD设备已与客户试样

5. 华海清科

2022年新签订单35.71亿元(不含Demo)，再创历史新高

CMP

逻辑：实现28nm及以上成熟制程的产业化应用，高端工艺技术水平14nm制程仍处于客户验证阶段

存储：128层3D NAND、1X/1Y DRAM实现量产

6. 芯源微

Track -- 28nm及以上制程全覆盖，offline、I-line、KrF机台实现批量销售，浸没式已完成验证

7. 盛美上海

清洗设备 -- 已应用于逻辑28nm技术节点及DRAM 19nm技术节点，并可拓展至逻辑芯片14nm、DRAM 17/16nm技术节点、32/64/128层3D NAND

8. 至纯科技

2022年新签半导体制程设备订单18亿元，同比增长61%

清洗设备 -- 备已能满足28nm全部湿法工艺需求，14nm及以下有4台订单交付

9. 万业企业

离子注入设备 -- 28nm低能大束流、低能大束流重金属、低能大束流超低温和高能离子注入机以实现商业化

10. 精测电子

量检测设备 --

膜厚设备、OCD设备、电子束设备均已取得多家客户批量性订单，半导体硅片应力测量设备取得客户订单并完成交付，明场光学缺陷检测设备已取得突破性订单，且完成首台套交付

光学膜厚测量设备：可用于28nm FEOL和14nm BEOL节点制程

OCD设备适用于28nm节点及以上制程

电子束检测设备：1xnm正在验证

11. 中科飞测

量检测设备 -- 已量产多款28nm及以上量检测设备，2Xnm套刻精度量测设备正在验证，已取得客户订单，1Xnm无图形晶圆检测设备处于研发中