近期 NAND Flash 现货市场颗粒报价受到 wafer 合约价成功拉涨消息带动，部分产品项目出现较积极询价需求。闪存大厂群联表示，由于NAND价格已触底，目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。
DRAM 市场前景更加光明
虽然NAND 市场可能不会变得更糟，但短期内几乎无法推动需求超过供应。DRAM市场的情况则有所不同。正如郭在推文中指出的那样，对DRAM的需求应该受益于英特尔Meteor Lake 的推出、人工智能服务器需求的飙升以及在设备上运行先进人工智能模型的推动。
NVIDIA GPU等AI加速器使用高带宽内存，可为AI工作负载提供更快的数据吞吐量。美光预计将在2024财年通过即将推出的HBM3 芯片产生可观的收入，这将有助于抵消PC、智能手机和通用服务器市场的持续疲软。
存储芯片的低迷尚未结束，但有迹象表明正在触底反弹。由于人工智能需求，DRAM市场可能会首先复苏，而NAND市场至少开始看起来更健康一些。不要指望美光科技很快就能获得大流行水平的利润，但2024年看起来应该比2023年好得多。
一线存储厂相继减产 NAND Flash调整周期尾声将至
存储行业寒风呼啸已久，推进库存去化、供需平衡，都离不开供应商对产能的控制。三星、SK海力士、美光均计划减产NAND Flash。
其中，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。
据数据显示，三星最初减产幅度为25%，第四季可能扩大到35%，代表目前市况供过于求压力仍大。原厂若不积极应对，即便下半年需求会温和复苏，NAND Flash相关产品价格要落底反弹也有困难。因此，目前一线NAND Flash原厂均积极减产控制供给，力求止跌，避免价格持续破底。
展望2024年，预计2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确。预估2024上半年，消费电子市场需求能见度仍不明朗，通用型服务器的资本支出仍受到AI服务器排挤、显得相对需求疲弱，有鉴于2023年基期已低，加上部分存储器产品价格已来到相对低点，预估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分别有13.0%及16.0%。
供给端加速收缩、限制低价供应，进一步巩固NAND Flash晶圆价格上涨趋势。分析师预计，随着2023年下半年国内手机品牌陆续推出新品、PC需求复苏。
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