近日，上海合晶硅材料股份有限公司（以下简称“上海合晶”）发布首次公开发行股票并在科创板上市招股意向书。本次发行的初步询价日期为2024年1月25日，申购日期为2024年1月30日。

上海合晶本次拟募集资金15.64亿元，将于明日（1月30日）开启申购。

据了解，上海合晶成立于1994年，位于上海松江区，是一家中国少数具备从晶体成长、衬底成型到外延生长全流程生产能力的半导体硅外延片一体化制造商，比亚迪、华虹虹芯、盛美上海等均持有其股份。

上海合晶主要产品为半导体硅外延片，主要用于制作MOSFET、IGBT 等功率器件和PMIC、CIS 等模拟芯片，被广泛应用于汽车、工业、通讯、办公等领域，其外延片在电阻率片内均匀性、外延层厚度片内均匀性、表面颗粒等关键技术指标均处于国际先进水平。

此前，上海合晶曾向上海证交所递交过科创板IPO申请，但同年12月选择终止科创板IPO。如今，时隔两年再度冲刺IPO，上海合晶究竟实力如何？

三年半营收逾41亿元

半导体材料处于整个半导体产业链的上游环节，是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节，而硅片正是晶圆制造环节的重要原材料之一。受益于5G技术、人工智能、物联网等领域的不断成熟，未来几年全球外延片市场规模总体仍将保持增长，预计2025年将达到109亿美元。

半导体硅片可以按照产品种类、尺寸等进行划分。按照产品种类划分，一般可分为抛光片、外延片、SOI 片等，外延片是以抛光片作为衬底材料进行外延生 长形成的半导体硅片。

由于具有技术难度高、研发周期长、资本投入大、客户认证周期长等特点，全球半导体硅片行业集中度较高，排名前五的厂商分别为日本信越化学和胜高、中国台湾环球晶圆、德国世创以及韩国SK Siltron，共占据全球半导体硅晶圆市场超过80%的份额。

近年来受国际贸易摩擦等因素的影响，国内半导体产业对于供应链自主可控的需求较为强烈，因此半导体硅片国产化符合国家重大需求，具有重大战略意义。

自1994年成立至今，上海合晶一直致力于提高中国半导体材料行业的自主可控水平，其主要产品从抛光片拓展至外延片，最终形成一体化外延片。

外延片是制造半导体产品的基础原材料，系由多晶硅经过晶体成长、衬底成型、外延生长等多道工序制作而成，具有高表面平整度、高电阻率均匀性、低缺陷度、厚度多样灵活、掺杂精确可控等特征。

上海合晶的外延片具备高电压耐受性、强电流耐受性、高运行稳定性等性能特点，在外延片领域具有较强的产品和技术竞争力。根据招股书，外延片业务是上海合晶收入和利润的主要来源。2020-2022年，外延片业务收入分别为7.74亿元、11.04亿元和14.88亿元，营收占比逐年上升，分别为82.60%、83.56%和95.82%。

图片来源于上海合晶招股书

最近几年，上海合晶的营收稳定增长。招股书显示，在2020年、2021年、2022年期间，上海合晶的营业收入分别是9.41亿元、13.29亿元、15.56亿元，3年累计营收38.26亿；归属于母公司股东的净利润为5,677.00万元、2.12亿元、3.65亿元，在3年内上涨超6倍。

近日，上海合晶公布董事会新厂投资决定，称上海合晶计划以人民币25.75亿元，在中国大陆建设厂房及购置机器设备，该计划在董事会核准后三年内实施。上海合晶已在郑州和中国台湾分别设厂，以应对全球供应链重塑。其郑州厂月产能2万片，龙潭厂月产能1万片。上海合晶后续的扩产重点，仍放在12英寸硅晶圆，龙潭厂厂区将持续扩充12英寸的产能。

三大核心竞争力

我国外延片自主化程度水平较低、外延片企业起步较晚，因此在技术、质量和规模上与国际企业存在一定差距。长期以来，我国外延片供应商主要生产6英寸及以下外延片，近年在8英寸外延片生产方面与国际先进水平的差距有所缩小，12英寸外延片尚未实现大规模国产替代。

而上海合晶的产品主要应用于功率器件、模拟芯片等超越摩尔定律领域，以8英寸产品为主，并已在12英寸外延生长工艺环节实现技术突破。

图：上海合晶外延片销售与加工情况

上海合晶能够做到国际领先的核心竞争力有三：第一，通过实现智能制造，大幅提高各环节的生产效率、保证产线的高效运行，同时也能够灵活为客户提供定制化产品服务，满足各类客户的订单需求；第二，精准控制各关键工序，实现产品制造过程的精准质量监测与全生命周期的质量追溯，并应用SPC进行品质管控，以力争达到产品零缺陷的目标；第三，自主开发FDC系统（实时故障检测与分类系统），对于产品的品质由事后检验变为事中控制，能够自动推送实时制造状态信息，及时反馈生产不良率情况。

目前，上海合晶在电阻率片内均匀性、外延层厚度片内均匀性、表面颗粒等关键技术指标均处于国际先进水平。例如，应用“超厚外延技术”能够一次生长出外延层厚度150μm的产品，实现外延层厚度高均匀性的特点，同行业公司的技术水平一般100μm，该产品已广泛应用于下游客户的IGBT器件。