拓荆科技申请一种用于半导体设备的阀门集成块专利,该专利技术能实现气体的混合和再次混合
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金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,拓荆科技股份有限公司申请一项名为“一种用于半导体设备的阀门集成块“,公开号CN117628223A,申请日期为2023年10月。
专利摘要显示,本发明提供了一种用于半导体设备的阀门集成块,包括阀块主体以及混气模块,该阀块主体的输出气体通入该混气模块。该混气模块包括第一混气腔室、第二混气腔室、散射喷头以及圆周斜管道;该散射喷头的主体设置在第一混气腔室内,该阀块主体的输出气体经该散射喷头通入第一混气腔室混合;该圆周斜管道连接在第一混气腔室和第二混气腔室之间,第一混气腔室混合后的气体经过该圆周斜管道进入第二混气腔室再次混合。
本文源自金融界
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