东微半导：2022年上市，业务为功率器件研发与销售，聚焦工业及汽车等中大功率应用领域，主要产品包括MOS管、IGBT以及碳化硅MOS。
图：MOS管下游应用，来自东微半导
1、MOS管产品线
MOS管系列主要包括高压超级结MOS管、中低压屏蔽栅MOS管、超级硅MOS管。
图：MOS管产品，来自东微半导
1）高压超级结MOS管：技术特点是低导通电阻、低栅极电荷、静态与动态损耗低，主要应用在汽车、工业、消费级市场。
高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
图：GreenMOS高压超级结功率器件的各系列特点，来自东微半导
2）中低压屏蔽栅MOS管：技术特点是特征导通电阻低，开关速度快，动态损耗低。主要应用在工业级、消费级等市场。
中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及 FSMOS产品系列。SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，应用于电机驱动、同步整流等领域。FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS 与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。
图：中低压MOSFET产品，来自东微半导
3）超级硅MOS管：技术特点是极快的开关速度与极低的动态损耗。主要应用在工业级、消费级等市场。
超级硅MOSFET产品是自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET。超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。
2、IGBT
IGBT产品特点：大电流密度，开关损耗低，可靠性高，具有自保护特点。IGBT产品对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工作电流覆盖15A-200A，包括低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、逆导、高速和超高速等系列。
其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至 1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合在高压谐振电路中使用。特别适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS 电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。
3、碳化硅
碳化硅产品：包括FRD、MOS管等，碳化硅MOS的技术特点是高速开关、超低的反向恢复时间与反向恢复电荷。SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了 SiC 衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。
图：IGBT和碳化硅产品，来自东微半导
业绩情况：2023年度东微半导实现营业总收入97,212万元，较上年同期减少13%；归母净利润14,019万元，较上年同期减少51%。
图：东微半导体2023年业绩，来自东微半导
图：东微半导体2022年收入结构，来自东微半导
公司解释2023年业绩变化：受全球经济增速下行以及竞争格局加剧等多重因素的影响，东微产品销售价格和毛利率有所下降。同时，东微半导积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，主要产品销量上升，但由于产品销售价格的下降，营业收入较2022年下滑。
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