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随着世界最大的代工（半导体委托生产）企业中国台湾台积电决定从美国政府获得最高66亿美元的半导体生产支援金，三星电子、台积电、英特尔等响当当的全球代工企业将在美国市场展开正面较量。

美国政府公布对台积电的半导体生产支援金计划，对于英伟达、AMD等在半导体设计领域拥有绝对霸权的美国构建了供应链，让这些无厂设计的半导体在美国国内生产，意义重大。

台积电一直在与美国政府协商半导体生产支援金。台积电原计划从2024年开始在亚利桑那州工厂生产5纳米半导体，但推迟到2025年，比计划推迟一年。第二工厂也将2026年的量产计划推迟到2028年。半导体业界认为，虽然专业人才不足是表面原因，但在与美国政府的谈判过程中，这是为了最大限度地确保半导体生产支援金的战略选择。

台积电计划在亚利桑那州建造的第一个晶圆厂在4纳米针尖（FinFET）工艺中生产半导体，预计二三工厂不仅在3纳米工艺中，在最尖端工艺2纳米工艺中也将开始量产。据观测，亚利桑那州第一工厂将于2025年上半年开始首次量产。

至此，台积电、三星电子、英特尔等代工领域全球前三大企业都将在美国国内启动最尖端工程。

继台积电之后，三星电子将于15日（当地时间）公布对在美国德克萨斯州泰勒市建设的工厂的追加投资计划。预计美国政府也将据此确定并公布对三星电子的半导体生产支援金规模。

此前，三星电子决定将泰勒工厂的投资从原来的170亿美元扩大到440亿美元，扩大2倍以上。三星电子以今年量产为目标，正在进行泰勒工厂的建设。三星电子预计将在该工厂投资200亿美元建设第二个工厂（生产设施），投资40亿美元建设尖端包装设施。

彭博社上月报道称，三星电子将获得60亿美元以上的补贴。

特别是三星电子也计划将最尖端工程应用到泰勒工厂。在竞争企业中，最先采用GAA技术的三星电子计划以稳定的生产为基础，在明年的2纳米工程中决一胜负。GAA是三星电子首次成功开发的，与现有的引脚技术相比，在功耗和性能方面都非常出色。

此前，美国政府上月20日表示，已完成预备协议，内容为向英特尔提供最高85亿美元的直接补贴和110亿美元的贷款。英特尔的构想是，到年末为止在1.8纳米级工艺中生产半导体。英特尔还在1.4纳米级工艺中首次引进了新一代极紫外线（EUV）曝光设备“Hi NA”。

随着台积电、三星电子、英特尔等拥有世界领先技术的半导体企业在美国国内扩充生产设施，美国主导的半导体供应链重组也在加速。

美国白宫当天通过报道资料强调：“半导体本来是美国发明的，但随着时间的推移，接近全球产量40%的美国产量减少了10%，最尖端半导体也无法生产。（通过建设台积电工厂）预计到2030年，美国可以生产全球约20%的尖端半导体。”

“同时，随着直接创造2.5万个制造业就业岗位，预计将间接创造数千个就业岗位。”

由于将建设最尖端的半导体工厂，因此此次预备协议中还包含了为地区工人的培训提供5000万美元资金的内容。