据报道，美国总统拜登于4月25日前往纽约州锡拉丘兹，宣布与存储芯片制造商美光科技所达成的初步协议。协议中提到，将为两家芯片工厂提供高达61.4亿美元的芯片补贴。
美国商务部签署的协议将根据《2022年芯片和科学法案》为纽约和爱达荷州的设施提供相应资金，该资金将支持在纽约建设两座DRAM晶圆厂，在爱达荷州新建一家DRAM晶圆厂。旨在提高美国在尖端存储半导体生产方面的竞争力，促进国内芯片制造并减少对中国大陆以及台湾供应的依赖。
拜登表示，美国曾经占据芯片市场40%的份额，但随着时间的推移，生产转移到国外。对此，拜登表示：“我永远不会让我们再次陷入排队等待的境地，当下最重要的就是我们要在美国一起渡过难关”。
此次与美光达成的协议，美光的总体愿景是希望创造2万个就业机会，并在未来20年创造出高达1250亿美元的民间资本，其包括在未来六年内承诺500亿美元的资本支出。这些投资将共同推动美光在未来20年内将约40%的DRAM芯片生产转移到国内的计划。
根据协议里的内容，在纽约所建造的每座晶圆厂将拥有60万平方英尺的洁净室，4个洁净室空间总计为240万平方英尺。白宫表示，美光科技的投资将是“纽约和爱达荷州历史上最大的私人投资”。
而位于爱达荷州的晶圆厂将与公司的研发设施位于同一地点，以此提高研发和制造业务的效率，减少技术转让的滞后并缩短产品的上市时间。
DRAM介绍
DRAM，即动态随机存取存储器，作为一种随机存取半导体存储器，它将每一位数据存储在一个存储单元中，该存储单元通常由一个微型电容器和一个晶体管组成，两者通常都基于金属氧化物半导体。虽然大多数 DRAM 存储单元设计都使用电容器和晶体管，但有些仅使用两个晶体管。
与SRAM相比，DRAM的优势在于结构简单——每一个比特的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM上一个比特通常需要六个晶体管。正因这缘故，DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的，DRAM也有访问速度较慢，耗电量较大的缺点。
DRAM 芯片广泛应用于需要低成本和大容量计算机存储器的数字电子产品。DRAM 最大的应用之一是现代计算机和显卡中的主存储器（俗称“RAM”）（其中“主存储器”称为图形存储器）。它还用于许多便携式设备和视频游戏机。相比之下，SRAM 比 DRAM 更快且更昂贵，通常用于速度比成本和尺寸更重要的地方，例如处理器中的高速缓存。
美国态度
美国商务部长吉娜·雷蒙多（Gina Raimondo）表示：“尖端存储芯片是所有先进技术的基础，在拜登总统的领导下，美国正在重建其生产这些关键能力的能力，这是近二十年来的首次。”她表示，通过这项拟议投资，美国正努力实现拜登政府芯片计划的核心目标之一，将最先进的记忆半导体技术的开发和生产重新引回美国。
雷蒙多说：“这对于维护我们在人工智能领域的领导地位，以及保护我们的经济和国家安全至关重要。”
美光科技作为高级半导体解决方案的全球领先供应商之一，其通过全球化的运营，向市场推出DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块，用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。目前美光是唯一一家总部位于美国的存储芯片制造商，如今所有尖端的DRAM芯片制造都在东亚进行。
美光总裁兼执行长桑贾伊·梅洛特拉表示：“这是美国半导体制造业的历史性时刻。”他说：“美光领先的内存技术是满足人工智能日益增长需求的基石，我们很自豪能够在美国进行重大的内存制造投资，这将创造许多高科技就业机会”。
为重振国内芯片的生产，美国一直都在不遗余力地努力。今年3月，拜登政府宣布与英特尔达成初步协议，并向其提供高达85亿美元的投资，以及110亿美元的贷款，以此加强美国供应链需求，并重振美国在半导体制造行业的领先地位。
此外，由于美国加强了对华芯片出口管制的压力，韩国芯片巨头SK海力士于4月初宣布将投资38.7亿美元在美国印第安纳州建立下一代高带宽内存（HBM）生产基地，并计划于2028年下半年开始量产。
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