背景与目的：

部分研究表明使用地高辛与增加死亡风险等不良预后相关。对于植入ICD（植入型心脏复律除颤器）的心衰人群，地高辛是否会增加室速及室颤风险的相关研究较为有限。本研究旨在评估对于射血分数减低的心衰（HFrEF）且使用ICD用于一级预防人群，地高辛是否会增加室速及室颤风险。

方法：

研究队列包括纳入4项MADIT试验（MADIT-II，MADIT-RISK，MADIT-CRT，MADIT-RIT）的ICD或CRT-D人群。研究的主要终点为首次出现室速（≥170次/分）及室颤，包括治疗及植入设备监测到的事件。次要终点包括快速型室速（≥200次/分）及室颤，ICD正常放电，ICD误放电，反复室速及室颤，死亡，以及室速、室颤与死亡的复合终点。研究通过倾向性评分五分法对地高辛治疗及其他因素进行校正，以评估地高辛治疗与首次出现室速及室颤和全因死亡终点的风险。心律失常相关终点采用风险比例回归模型对死亡竞争风险进行校正。

结果：

基线的4499例患者中共有1155例（26%）使用地高辛治疗。通过倾向性评分五分法分层，使用地高辛治疗的患者出现室速或室颤的风险显著增加48%（P<0.001），出现室速、室颤及死亡的复合终点风险增加42%（P<0.001），全因死亡风险增加37%（P=0.006）。地高辛治疗会增加ICD正常放电的风险（HR 1.91；P<0.001），并且增加室速及室颤发作的负荷（HR 1.46；P=0.001）。

结论：

本研究表明对于植入ICD的射血分数减低的心衰人群，地高辛使用与快速型室性心律失常及死亡相关。

表1. 基线信息

表2. 倾向性评分变量

表3. 时间依赖的地高辛相关风险

图1. 是否使用地高辛与ICD正常放电（A）及误放电（B）的累计风险

图2. 室速及室颤事件平均累计发生率

图3. 死亡的累计发生率

图4. 室速及室颤与死亡的累计发生率

心语点评：

这项研究表明，对于HFrEF且使用ICD用于一级预防的患者，地高辛具有潜在的致心律失常风险。地高辛会增加室速及室颤、致命性心律失常（快速型室速及室颤）、ICD正常放电以及死亡的风险，但并不降低ICD误放电的风险。

究其原因，过量的地高辛可能会通过折返及延迟后除极机制诱发室性心律失常，遗憾的是这项研究并没有地高辛浓度相关数据。此外，房颤是室性心律失常的一个诱因：房颤可以导致心肌损伤诱发室性心律失常；房颤快速激活心室可能会导致R-on-T现象；房颤相关症状会激活交感神经，从而诱发室速及室颤。然而在这项研究中，对房性心律失常进行校正后地高辛仍会增加室性心律失常的风险。另一方面，地高辛对于室性心律失常及死亡事件的影响可能因为更重的患者使用地高辛治疗，但这项研究对各种混杂因素进行校正之后结论仍然成立。

参考文献：

Ojo A, McNitt S, Polonsky B, et al. Digoxin and Risk of Ventricular Tachyarrhythmia and Death in ICD Recipients. JACC Clin Electrophysiol. Published online May 6, 2024.

审校：耿新宁 ┆编辑：胡欣妍┆来源：北一心语

投稿邮箱：hyxc-tougao@hyxcchina.com

联系电话：4006-562-862

投稿详情：

点击“阅读更多信息”