此前有报道称，三星已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，而这次组织架构的改组进一步做了加强。

据TrendForce报道，有业内人士透露，三星打算采用4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片。

基础裸片位于芯片堆栈的底部，是HBM的核心组件。DRAM制造商已经有能力为HBM3E等现有产品生产基础裸片，不过对于HBM4，由于客户要求的定制功能，需要额外的晶圆加工步骤。据了解，目前三星4nm工艺的良品率已超过70%，Galaxy S24系列旗舰智能手机中搭载的Exynos 2400也采用了这一制程工艺。

相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星正在采用10nm工艺生产HBM3E，在新一代HBM4上采用4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。

今年4月，竞争对手SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。

随后台积电确认将生产用于HBM4的基础裸片，计划采用N5和N12FFC+工艺，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。