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准二维钙钛矿因其相比于三维钙钛矿具有更强的环境稳定性和优越的长期稳定性而备受关注。然而，它们通常由具有不同光电特性的多个量子阱组成，这会降低电子性能，阻碍进一步的电子应用。

为了解决这一问题，韩国光州科学技术学院Kwanghee Lee等人报道了一种表面p型掺杂策略，即在准二维锡钙钛矿表面引入含噻吩的聚合物。钙钛矿中的锡离子与噻吩基团中的硫原子有效相互作用，从而产生空穴载流子并诱导p型掺杂。经过掺杂的准二维钙钛矿表现出优异的表面结晶性、更低的陷阱密度，以及增强的沿钙钛矿半导体通道的载流子传输能力。

因此，基于掺杂准二维锡钙钛矿的晶体管展示出高达53 cm²V−1s−1的场效应迁移率（对照器件为7 cm²V−1s−1），出色的开关比（>107），以及卓越的工作稳定性。

J.-H. Kim, C.-M. Oh, I.-W. Hwang, K. Park, K. Lee, Organic Surface Doping for High-Performance Perovskite Transistors. Adv. Funct. Mater. 2024, 2411836.

https://doi.org/10.1002/adfm.202411836

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