金融界 2024 年 9 月 18 日消息，天眼查知识产权信息显示，中天合金技术有限公司、江苏中天科技股份有限公司申请一项名为“一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法“，公开号 CN202410878296.0，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，铜基底准备和表面处理；S2，传送铜基底；S3，注入第一金属前驱体材料；S4，去除多余第一金属前驱体材料；S5，等离子体反应；S6，去除副产物；S7，循环步骤 S3~S6，调节第一单原子金属镀层厚度；S8，再按照步骤 S3~S7，沉积第二单原子金属镀层。本发明的优点在于利用等离子增强原子层沉积技术在铜基底表面沉积金属镀层可以实现高质量、均匀、附着力强的金属镀层，同时能够通过双镀层实现铜基底的导电性、界面结合强度和耐腐蚀性提升。

本文源自：金融界

作者：情报员