甬矽半导体取得镭射印字路径规划方法和镭射装置专利 金融界 2024-11-05 11:35 ·北京 金融界2024年11月5日消息,国家知识产权局信息显示,甬矽半导体(宁波)有限公司取得一项名为“镭射印字路径规划方法和镭射装置”的专利,授权公告号CN 114434012 B,申请日期为2022年1月。本文源自:金融界作者:情报员
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