金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，湖南三安半导体有限责任公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及其半导体器件”的专利，公开号 CN 118919551 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本申请提

供的半导体器件的制

备方法及其半导体器

件，通过在第二掺杂

区的上方形成离子掺杂浓度大于第二掺杂区的离子掺杂浓度

的第三掺杂区，以形成深注入轻掺杂的第二掺杂区以及浅注入

重掺杂的第三掺杂区，以及通过在第四掺杂区的上方形成离子

掺杂浓度大于第四掺杂区的离子掺杂浓度的第五掺杂区，以形

成深注入轻掺杂的第四掺杂区以及浅注入重掺杂的第五掺杂

区；第三掺杂区和第五掺杂区的浅注入和重掺杂结构，能够降

低肖特基势垒宽度，从而改善器件接触电阻、导通电阻，并有利

于降低器件漏电，从而提高器件开关速度以及减小功耗。

本文源自：金融界

作者：情报员