金融界2024年11月29日消息，国家知识产权局信息显示，江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种表面致密的氮化硅基瓷片及其制备方法”的专利，公开号CN 119039010 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种表面致密的氮化硅基瓷片及其制备方法，涉及陶瓷制备技术领域；本发明所制瓷片通过具有抑制作用的涂层，从而均匀的控制瓷片表面玻璃相的挥发，避免孔洞的形成，提高瓷片的密度及耐压值。涂层浆料由隔烧混粉、抑制混粉、溶剂和有机载体混合研磨得到，其中抑制混粉由氟化镁、氮化镁、氟化钇、氮化钇、氧化亚硅中至少一种，加入无水乙醇和司盘85混合，煅烧研磨制得。

本文源自：金融界

作者：情报员