今年4月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。其中台积电负责生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），采用N5和N12FFC+工艺。

据TrendForce报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始向英伟达发货。

有消息称，SK海力士在今年3月就推出了HBM4的原型芯片，就有以3nm工艺生产的基础裸片，相比于5nm工艺，性能提升幅度达到了20%至30%。不过性能只是一方面，成本也是SK海力士需要考虑的地方。台积电之所以加入12nm工艺生产HBM4基础裸片的选择，就是为了在满足性能要求的前提下带来成本优势，而3/5nm工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度，或者带来更高的性能。

目前SK海力士的HBM3E依赖于自己的技术生产基础裸片，选择与台积电合作也是为了拉开与竞争对手三星的差距。此前有报道称，三星打算采用4nm工艺生产HBM4的基础裸片。