金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，无锡晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种复合衬底及其制造方法”的专利，公开号CN 119108402 A，申请日期为2023年6月。

专利摘要显示，本公开提供了一种复合衬底及其制造方法，复合衬底包括依次层叠设置的支撑衬底层、埋层及生长衬底层，埋层具有至少部分贯穿埋层的凹槽，支撑衬底层包含电荷俘获区，电荷俘获区与凹槽在支撑衬底层所在平面的投影形状重叠。本公开提供的复合衬底通过在支撑衬底层设置电荷俘获区，利用电荷俘获区耗尽支撑衬底层的电荷，提高复合衬底的电阻率，降低串扰影响，以制备高频率、低损耗的半导体器件；埋层中设置凹槽，可以衰减由生长衬底层传向支撑衬底层的应力，以提高复合衬底的机械强度，避免后续外延过程中发生形变。

本文源自：金融界

作者：情报员