金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，青禾晶元（天津）半导体材料有限公司申请一项名为“一种复合压电衬底及其制备方法和应用”的专利，公开号CN 119173124 A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本发明提 供一种复合压电衬底 及其制备方法和应用。 所述复合压电衬底包 括层叠设置的支撑基 板、SiO2层、富Si的氧 化物层、非晶Si层、含X元素的硅锂氧化层和压电材料层；所述X 元素包括铌元素和/或钽元素。本发明通过在SiO2层和压电材 料层之间层叠设置富Si的氧化物层、非晶Si层和含X元素的硅 锂氧化层，三者之间协同配合，共同增强了SiO2层和压电材料 层之间的结合强度，明显降低了复合压电衬底在器件制造过程 中解键合的风险，提高了器件制造的良率。

本文源自：金融界

作者：情报员