证券之星消息，根据天眼查APP数据显示格力电器（000651）新获得一项发明专利授权，专利名为“MOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202411343002.0，授权日为2024年12月31日。

专利摘要：本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。

今年以来格力电器新获得专利授权0个，较去年同期减少了100%。结合公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面投入了35.32亿元，同比减0.35%。

数据来源：天眼查APP

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